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IGC033S10S1XTMA1

Name: Infineon IGC033S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGC033S10S1XTMA1
Price: 6190 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

726-IGC033S10S1XTMA1

제조업체 번호:

IGC033S10S1XTMA1

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

GaN FET MV GAN DISCRETES

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

IGC033S10S1XTMA1 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 1,225

재고:: 1,225

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수량	단가	합계
	₩6,190.4	₩6,190
	₩4,219.4	₩42,194
	₩3,343.4	₩334,340
	₩2,832.4	₩1,416,200
	₩2,715.6	₩2,715,600
전체 릴(5000의 배수로 주문)
	₩2,292.2	₩11,461,000

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	GaN FET
RoHS:
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PG-TSON-6
트랜지스터 극성:	HEMT
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	100 V
Id - 연속 드레인 전류:	76 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	3.3 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 4 V, + 5.5 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.9 V
Qg - 게이트 전하:	11 nC
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	45 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	CoolGaN
브랜드:	Infineon Technologies
구성:	Single
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
제품:	Tranistors
제품 유형:	GaN FETs
시리즈:	100V G3
팩토리 팩 수량:	5000
하위 범주:	Transistors
기술:	GaN
트랜지스터 타입:	1 P-Channel
타입:	CoolGaN Transistor
부품번호 별칭:	IGC033S10S1 SP005751571

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문서 필터:

데이터시트

IGC033S10S1XTMA1 데이터시트 (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™G3 트랜지스터

Infineon Technologies CoolGaN™G3 트랜지스터는 고전력 밀도 애플리케이션에서 뛰어난 성능을 제공하도록 설계되었습니다. 이 트랜지스터는 온 상태 저항이 매우 낮아 효율적인 전력 변환과 에너지 손실을 줄일 수 있습니다. 4가지 전압 옵션 (60V, 80V, 100V 또는 120V)으로 제공되는 Infineon CoolGaN G3 트랜지스터는 초저 게이트/출력 전하로 초고속 스위칭을 제공합니다. 이 트랜지스터는 열 관리를 향상시키고, 이중 측 냉각을 지원하는 소형 PQFN 패키지로 제공되며 까다로운 조건에서도 안정적인 작동을 보장합니다. 이러한 특징 덕분에 CoolGaN G3 트랜지스터는 텔레콤, 데이터 센터 전원장치 및 산업용 전원 시스템과 같은 애플리케이션에 가장 적합합니다.

CoolGaN™ 100 V G3 트랜지스터

Infineon Technologies CoolGaN™ 100V G3 트랜지스터는 상시 오프, 강화 모드(E-모드) 전력 트랜지스터로, 소형 하우징으로 제공됩니다. 이 트랜지스터는 낮은 온 상태 저항을 갖추고있으므로, 이 장치는 까다로운 고전류 및 고전압 애플리케이션에서 안정 인 성능을 발휘하는 데서 이상적인 선택으로 됩니다. CoolGaN 트랜지스터는 열 관리를 개선하도록 설계되었습니다. 일반적인 애플리케이션에는 오디오 증폭기 솔루션, 광전지, 전기 통신 인프라, E-모릴리티, 로봇 및 드론이 포함됩니다.