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IGC025S08S1XTMA1

Name: Infineon IGC025S08S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGC025S08S1XTMA1
Price: 6394 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

726-IGC025S08S1XTMA1

제조업체 번호:

IGC025S08S1XTMA1

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

GaN FET CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

IGC025S08S1XTMA1 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 6,355

재고:: 6,355 즉시 배송 가능

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공장 리드 타임:: 20 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(5000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩6,394.8	₩6,395
	₩4,292.4	₩42,924
	₩3,182.8	₩318,280
	₩2,832.4	₩1,416,200
	₩2,613.4	₩2,613,400
전체 릴(5000의 배수로 주문)
	₩2,219.2	₩11,096,000

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	GaN FET
RoHS:
장착 스타일:	SMD/SMT
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	80 V
Id - 연속 드레인 전류:	86 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	2.5 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	6.5 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.9 V
Qg - 게이트 전하:	12 nC
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	45 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	CoolGaN
브랜드:	Infineon Technologies
구성:	Single
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
제품:	Transistors
제품 유형:	GaN FETs
시리즈:	60 V - 120 V G3
팩토리 팩 수량:	5000
하위 범주:	Transistors
기술:	GaN
트랜지스터 타입:	P-Channel
타입:	CoolGaN
부품번호 별칭:	IGC025S08S1 SP006027447

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

IGC025S08S1XTMA1 데이터시트 (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™G3 트랜지스터

Infineon Technologies CoolGaN™G3 트랜지스터는 고전력 밀도 애플리케이션에서 뛰어난 성능을 제공하도록 설계되었습니다. 이 트랜지스터는 온 상태 저항이 매우 낮아 효율적인 전력 변환과 에너지 손실을 줄일 수 있습니다. 4가지 전압 옵션 (60V, 80V, 100V 또는 120V)으로 제공되는 Infineon CoolGaN G3 트랜지스터는 초저 게이트/출력 전하로 초고속 스위칭을 제공합니다. 이 트랜지스터는 열 관리를 향상시키고, 이중 측 냉각을 지원하는 소형 PQFN 패키지로 제공되며 까다로운 조건에서도 안정적인 작동을 보장합니다. 이러한 특징 덕분에 CoolGaN G3 트랜지스터는 텔레콤, 데이터 센터 전원장치 및 산업용 전원 시스템과 같은 애플리케이션에 가장 적합합니다.