2EDL8033G3CXTMA1

Infineon Technologies
726-2EDL8033G3CXTMA1
2EDL8033G3CXTMA1

제조업체:

설명:
갈바닉 절연 게이트 드라이버 LEVEL SHIFT DRIVER

ECAD 모델:
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재고 상태: 3,901

재고:
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공장 리드 타임:
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최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩2,072 ₩2,072
₩1,524.4 ₩15,244
₩1,372 ₩34,300
₩1,216.6 ₩121,660
₩1,142.6 ₩285,650
₩1,098.2 ₩549,100
₩1,061.2 ₩1,061,200
전체 릴(4000의 배수로 주문)
₩999 ₩3,996,000
₩969.4 ₩7,755,200

제품 속성 속성 값 속성 선택
Infineon
제품 카테고리: 갈바닉 절연 게이트 드라이버
RoHS:  
2EDL8033
SMD/SMT
VSON-10-4
- 40 C
+ 150 C
50 ns
195 ns
106 ns
Reel
Cut Tape
브랜드: Infineon Technologies
입력 전압 - 최대: 17 V
입력 전압 - 최소: 8 V
최대 턴-오프 지연 시간: 6 ns
최대 턴-온 지연 시간: 6 ns
작동 공급 전류: 2.4 mA
출력 전류: 6 A
제품: Driver ICs
제품 유형: Galvanically Isolated Gate Drivers
팩토리 팩 수량: 4000
공급 전압 - 최대: 17 V
공급 전압 - 최소: 8 V
상표명: EiceDRIVER
타입: High-Side, Low-Side
부품번호 별칭: 2EDL8033G3C SP005595954
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

하이 및 로우 사이드 드라이버

Infineon Technologies 하이 및 로우 사이드 드라이버는 MOSFET 및 IGBT를 제어하도록 설계되었으며 2개의 비연동 채널을 포함하고 있습니다. 이 선택 장치는 650V 하이 및 로우 사이드 SOI(Silicon On Insulator) 게이트 드라이버 IC가 특징이며 고전류(2.5A) 및 저전류(0.7A) 옵션을 제공합니다. Infineon 하이 및 로우 사이드 드라이버는 우수한 견고성과 잡음 내성이 특징으로, 모터 드라이브, 가전 제품, SMPS, 배터리 전원 공급식 애플리케이션 및 고전력 조명에 이상적입니다.