1ED21271S65FXUMA1

Infineon Technologies
726-1ED21271S65FXUMA
1ED21271S65FXUMA1

제조업체:

설명:
게이트 드라이버 650V high-side gate driver

라이프사이클:
신제품:
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ECAD 모델:
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수량 단가
합계
₩3,401.8 ₩3,402
₩2,190 ₩21,900
₩1,956.4 ₩48,910
₩1,620.6 ₩162,060
₩1,518.4 ₩379,600
₩1,325.7 ₩662,850
₩1,153.4 ₩1,153,400
전체 릴(2500의 배수로 주문)
₩1,048.3 ₩2,620,750
₩998.6 ₩7,489,500

제품 속성 속성 값 속성 선택
Infineon
제품 카테고리: 게이트 드라이버
RoHS:  
Gate Drivers
High-Side
SMD/SMT
PG-DSO-8
1 Driver
1 Output
4 A
25 V
Inverting
12 ns
12 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
브랜드: Infineon Technologies
최대 턴-오프 지연 시간: 80 ns
최대 턴-온 지연 시간: 80 ns
습도에 민감: Yes
작동 공급 전류: 270 uA
출력 전압: 460 mV
Pd - 전력 발산: 625 mW
제품 유형: Gate Drivers
전파 지연 - 최대: 410 ns
Rds On - 드레인 소스 저항: 50 Ohms
차단: Shutdown
팩토리 팩 수량: 2500
하위 범주: PMIC - Power Management ICs
기술: Si
상표명: EiceDRIVER
부품번호 별칭: 1ED21271S65F SP005826767
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USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650V 하이 사이드 게이트 드라이버

Infineon Technologies EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650V 하이 사이드 게이트 드라이버는 고전압 전력 트랜지스터를 강력하고 효율적으로 제어할 수 있도록 설계되었습니다. 이러한 Infineon 게이트 드라이버는 모터 드라이브, 태양광 인버터, 산업용 전원 공급 장치 등 광범위한 애플리케이션을 지원하는 하이 사이드 드라이버 아키텍처를 특징으로 합니다. 최대 전압이 650V인 1ED21x7x 직렬은 까다로운 환경에서도 안정적인 작동을 보장합니다. 주요 기능으로는 통합 부트스트랩 다이오드, 빠른 스위칭 기능, 저전압 차단(UVLO) 및 과전류 보호와 같은 포괄적인 보호 메커니즘이 있습니다. 이러한 특성으로 인해 EiceDRIVER™ 1ED21x7x 시리즈는 고전압 전력 시스템의 성능과 신뢰성을 향상시키는 데 이상적인 선택입니다.

EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC

Infineon EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC는 MOSFET, IGBT, SiC MOSFET 및 GaN HEMT 장치용으로 설계되었습니다. EiceDRIVERTM™ 게이트 드라이버는 0.1A에서 최대 10A까지 광범위한 일반 출력 전류 옵션을 제공합니다. 이 장치는 DESAT(빠른 단락 보호), 능동 밀러 클램프, 슛스루 보호, 결함, 셧다운 및 과전류 보호와 같은 강력한 게이트 드라이브 보호 기능을 갖추고 있습니다. 이러한 특징 덕분에 이 드라이버 IC는 CoolGaN™ 및 CoolSiC™ 를 포함한 실리콘 및 와이드 밴드갭 전원 장치 모두에 매우 적합합니다. 이것이 바로 Infineon이 모든 전원 스위치와 모든 애플리케이션에 적합한 500개 이상의 EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC 솔루션을 제공하는 이유입니다.