EPC2361

Name: EPC EPC2361
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2361
Price: 13500 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

65-EPC2361

제조업체 번호:

EPC2361

제조업체:

EPC

설명:

GaN FET EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

라이프사이클:

Mouser의 신규

데이터시트:

EPC2361 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	EPC
제품 카테고리:	GaN FET
RoHS:
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	QFN-7
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	80 V
Id - 연속 드레인 전류:	133 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	1 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 4 V, 6 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.5 V
Qg - 게이트 전하:	28 nC
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 150 C
채널 모드:	Enhancement
상표명:	eGaN FET
기술:	GaN
브랜드:	EPC
구성:	Single
습도에 민감:	Yes
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
제품:	Power Transistor
제품 유형:	GaN FETs
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
단위 중량:	35.200 mg

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데이터시트

EPC2361 데이터시트 (PDF)

규정 준수 코드

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

원산지 분류

COO(원산지):: 말레이시아
어셈블리 원산지:: 불가능
COD(확산 공정 국가):: 불가능

배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

EPC2361 eGaN® FET

EPC EPC2361 Enhancement-Mode Gallium Nitride Field-Effect Transistor (eGaN^® FET) is a 100V power transistor engineered for efficient power conversion. The device offers a typical 0.75mΩ on-resistance, high-current capability, ultra-low gate charge, and zero reverse-recovery charge. These characteristics support high switching frequencies and reduced power losses in demanding applications.

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수량	단가	합계
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	₩7,440.6	₩74,406
	₩6,848.7	₩684,870
	₩6,426	₩3,213,000
	₩5,890.5	₩5,890,500
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