LMG3100R044VBER

Name: Texas Instruments LMG3100R044VBER
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3100R044VBER
Price: 11315 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

595-LMG3100R044VBER

제조업체 번호:

LMG3100R044VBER

제조업체:

Texas Instruments

설명:

게이트 드라이버 100V 4.4mohm GaN FET with integrated dri

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

LMG3100R044VBER 데이터시트

ECAD 모델:

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최소: 1 배수: 1

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₩-

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₩-

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포장:

전체 릴(2500의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩11,315	₩11,315
	₩8,672.4	₩86,724
	₩8,073.8	₩201,845
	₩7,110.2	₩711,020
	₩6,745.2	₩1,686,300
	₩6,044.4	₩3,022,200
	₩5,095.4	₩5,095,400
전체 릴(2500의 배수로 주문)
	₩4,876.4	₩12,191,000

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Texas Instruments
제품 카테고리:	게이트 드라이버
RoHS:
제품:	Gate Drivers
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	VQFN-15
출력 수:	1 Output
공급 전압 - 최소:	4.75 V
공급 전압 - 최대:	5.25 V
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 125 C
시리즈:	LMG3100R044
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Texas Instruments
개발 키트:	LMG3100EVM-089
입력 전압 - 최대:	5.25 V
입력 전압 - 최소:	4.75 V
습도에 민감:	Yes
작동 공급 전류:	35 A
제품 유형:	Gate Drivers
전파 지연 - 최대:	70 ns
Rds On - 드레인 소스 저항:	4.4 mOhms
팩토리 팩 수량:	2500
하위 범주:	PMIC - Power Management ICs
기술:	Si

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데이터시트

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CNHTS:: 8542391090
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

LMG3100R0x 드라이버가 통합된 GaN FET

Texas Instruments LMG3100R0x 드라이버가 통합된 질화 갈륨(GaN) FET는 하이사이드 레벨 시프터 및 부트스트랩이 있는 1.7mΩGaN FET 및 드라이버입니다. 두 개의 LGM3100 장치를 사용하여 외부 레벨 시프터 없이도 하프 브리지를 구성할 수 있습니다. GaN FET 및 드라이버 구성 요소에는 공급 레일 저전압(UVLO)( ) 보호 기능과 내부 부트스트랩 공급 전압 클램핑 기능이 내장되어 있어 오버드라이브(>5.4V)를 방지합니다. Texas Instruments (LMG3100R0x)는 저전력 소비와 향상된 사용자 인터페이스를 제공합니다. LMG3100R017은 벅 부스트 컨버터, LLC 컨버터, 태양광 인버터, 통신, 모터 드라이브, 전동 공구, 클래스 D 오디오 증폭기 등 고주파, 고효율 애플리케이션에 이상적인 솔루션입니다.