STDRIVEG610QTR

Name: STMicroelectronics STDRIVEG610QTR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG610QTR
Price: 4394 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-STDRIVEG610QTR

제조업체 번호:

STDRIVEG610QTR

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

게이트 드라이버 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

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신제품:

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데이터시트:

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₩-

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₩-

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩4,394.6	₩4,395
	₩3,299.6	₩32,996
	₩3,022.2	₩75,555
	₩2,715.6	₩271,560
	₩2,569.6	₩642,400
	₩2,482	₩1,241,000
	₩2,409	₩2,409,000
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩2,306.8	₩6,920,400
	₩2,263	₩13,578,000

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	게이트 드라이버
RoHS:
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	STMicroelectronics
습도에 민감:	Yes
제품 유형:	Gate Drivers
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	PMIC - Power Management ICs
단위 중량:	44 mg

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문서 필터:

데이터시트

STDRIVEG610QTR 데이터시트 (PDF)

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MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

STDRIVEG610 하프 브리지 게이트 드라이버

STMicroelectronics STDRIVEG610 하프 브리지 게이트 드라이버는 다양한 전력 변환 애플리케이션에서 N-채널 MOSFET 또는 IGBT를 구동하도록 설계된 고성능 장치입니다. STMicroelectronics STDRIVEG610은 단일 입력 제어 및 부트스트랩 작동을 특징으로 하며 최소한의 외부 구성요소로 효율적인 하이사이드 및 로우사이드 스위칭을 구현합니다. 이 장치는 하이사이드 드라이버에서 최대 600V 까지 지원하며, 안전한 작동을 위해 로우사이드와 하이사이드 모두에 UVLO(저전압 록아웃) 보호 기능을 포함합니다. 일반적인 전파 지연 시간 50ns 및 일치하는 지연 시간을 제공하는 STDRIVEG610 IC는 모터 제어, 전원장치, 인버터와 같은 고주파 스위칭 애플리케이션에 적합합니다. 소형 설계, 견고한 보호 기능, 넓은 작동 전압 범위를 갖춘 STDRIVEG610 하프 브리지 게이트 드라이버는 효율적이고 소형화된 게이트 드라이버 솔루션을 찾는 설계자에게 신뢰할 수 있는 선택지를 제공합니다.