PowerSaver 반도체

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결과: 158
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1
: 2,500


ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 480
배수: 480


ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1


ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000


ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,55ns,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 312
배수: 312

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,55ns,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,55ns,1.65v-2.2v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 1
배수: 1
: 2,500

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,55ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 348
배수: 348

ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 240
배수: 240

ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 256M, 1.8V, 133Mhz 8Mx32 Mobile SDR 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1