|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
- IS46LQ32256AL-062BLA2-TR
- ISSI
-
2,500:
₩84,496.8
-
비재고 리드 타임 40 주
|
Mouser 부품 번호
870-46L256A2BLA2TR
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 40 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SDRAM - LPDDR4X
|
8 Gbit
|
32 bit
|
1.6 GHz
|
FBGA-200
|
256 M x 32
|
|
1.06 V
|
1.95 V
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
Reel
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
- IS46LQ16256AL-062BLA1-TR
- ISSI
-
2,500:
₩44,779.2
-
비재고 리드 타임 40 주
|
Mouser 부품 번호
870-46L256AL2BLA1TR
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 40 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SDRAM - LPDDR4X
|
4 Gbit
|
16 bit
|
1.6 GHz
|
FBGA-200
|
256 M x 16
|
|
1.06 V
|
1.95 V
|
- 40 C
|
+ 95 C
|
|
Reel
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
- IS46LQ16256AL-062BLA2-TR
- ISSI
-
2,500:
₩48,351.2
-
비재고 리드 타임 40 주
|
Mouser 부품 번호
870-46L256AL2BLA2TR
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 40 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SDRAM - LPDDR4X
|
4 Gbit
|
16 bit
|
1.6 GHz
|
FBGA-200
|
256 M x 16
|
|
1.06 V
|
1.95 V
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
Reel
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
- IS46LQ16128AL-062BLA1-TR
- ISSI
-
2,500:
₩28,515.2
-
비재고 리드 타임 40 주
|
Mouser 부품 번호
870-46L6128A2BLA1TR
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 40 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SDRAM - LPDDR4X
|
2 Gbit
|
16 bit
|
1.6 GHz
|
FBGA-200
|
128 M x 16
|
|
1.06 V
|
1.95 V
|
- 40 C
|
+ 95 C
|
|
Reel
|
|
|
|
DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
- IS43LQ16128AL-062TBLI
- ISSI
-
136:
₩23,636
-
비재고 리드 타임 40 주
|
Mouser 부품 번호
870-LQ16128AL062TBLI
|
ISSI
|
DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 40 주
|
|
최소: 136
배수: 136
|
|
|
SDRAM - LPDDR4X
|
2 Gbit
|
16 bit
|
1.6 GHz
|
BGA-200
|
128 M x 16
|
|
570 mV
|
650 mV
|
- 40 C
|
+ 95 C
|
|
Tray
|
|
|
|
DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
- IS43LQ16256AL-062TBLI
- ISSI
-
136:
₩37,209.6
-
비재고 리드 타임 36 주
|
Mouser 부품 번호
870-LQ16256AL062TBLI
|
ISSI
|
DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 36 주
|
|
최소: 136
배수: 136
|
|
|
SDRAM - LPDDR4X
|
|
16 bit
|
1.6 GHz
|
BGA-200
|
256 M x 16
|
|
570 mV
|
650 mV
|
- 40 C
|
+ 95 C
|
|
Tray
|
|
|
|
DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
- IS43LQ32128AL-062TBLI
- ISSI
-
136:
₩36,069.6
-
비재고 리드 타임 36 주
|
Mouser 부품 번호
870-LQ32128AL062TBLI
|
ISSI
|
DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 36 주
|
|
최소: 136
배수: 136
|
|
|
SDRAM - LPDDR4X
|
4 Gbit
|
32 bit
|
1.6 GHz
|
BGA-200
|
128 M x 32
|
|
570 mV
|
650 mV
|
- 40 C
|
+ 95 C
|
|
Tray
|
|
|
|
DRAM LPDDR4X, 4Gb, 256M x 16, 0.6V, 200ball TFBGA, 1600MHZ, ECC, AUTO TEMP
Alliance Memory AS4C256M16MD4V-062BAN
- AS4C256M16MD4V-062BAN
- Alliance Memory
-
680:
₩165,649.6
-
비재고 리드 타임 30 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
913-256M16MD4V062BAN
신제품
|
Alliance Memory
|
DRAM LPDDR4X, 4Gb, 256M x 16, 0.6V, 200ball TFBGA, 1600MHZ, ECC, AUTO TEMP
|
|
비재고 리드 타임 30 주
|
|
최소: 680
배수: 136
|
|
|
SDRAM - LPDDR4X
|
4 Gbit
|
16 bit
|
1.6 GHz
|
FBGA-200
|
256 M x 16
|
3.5 ns
|
1.06 V
|
1.95 V
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
Tray
|
|
|
|
DRAM LPDDR4X, 16Gb, 1g X 16, 0.6V, 200ball TFBGA, 2133mhz, INDUSTRIAL TEMP
Alliance Memory AS4C1G16MD4V-046BIN
- AS4C1G16MD4V-046BIN
- Alliance Memory
-
1:
₩264,616.8
-
비재고 리드 타임 30 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
913-4C1G16MD4V046BIN
신제품
|
Alliance Memory
|
DRAM LPDDR4X, 16Gb, 1g X 16, 0.6V, 200ball TFBGA, 2133mhz, INDUSTRIAL TEMP
|
|
비재고 리드 타임 30 주
|
|
|
₩264,616.8
|
|
|
₩243,732
|
|
|
₩235,676
|
|
|
₩229,687.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SDRAM - LPDDR4X
|
16 Gbit
|
16 bit
|
2.133 GHz
|
FBGA-200
|
1 G x 16
|
10 ns
|
1.7 V
|
1.95 V
|
- 40 C
|
+ 95 C
|
|
Tray
|
|
|
|
DRAM LPDDR4X, 8Gb, 512M x 16, 0.6V, 200-ball TFBGA, 1866MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray
Alliance Memory AS4C512M16MD4V-053BIN
- AS4C512M16MD4V-053BIN
- Alliance Memory
-
1:
₩166,136
-
비재고 리드 타임 30 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
913-512M16MD4V053BIN
신제품
|
Alliance Memory
|
DRAM LPDDR4X, 8Gb, 512M x 16, 0.6V, 200-ball TFBGA, 1866MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray
|
|
비재고 리드 타임 30 주
|
|
|
₩166,136
|
|
|
₩153,231.2
|
|
|
₩148,184.8
|
|
|
₩144,430.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SDRAM - LPDDR4X
|
8 Gbit
|
16 bit
|
1.866 GHz
|
FBGA-200
|
512 M x 16
|
3.5 ns
|
1.7 V
|
1.95 V
|
- 40 C
|
+ 95 C
|
|
Tray
|
|
|
|
DRAM LPDDR4X, 16Gb, 512M x 32, 0.6V, 200ball TFBGA, 1866MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray
Alliance Memory AS4C512M32MD4V-053BIN
- AS4C512M32MD4V-053BIN
- Alliance Memory
-
120:
₩240,418.4
-
비재고 리드 타임 30 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
913-512M32MD4V053BIN
신제품
|
Alliance Memory
|
DRAM LPDDR4X, 16Gb, 512M x 32, 0.6V, 200ball TFBGA, 1866MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray
|
|
비재고 리드 타임 30 주
|
|
최소: 120
배수: 120
|
|
|
SDRAM - LPDDR4X
|
16 Gbit
|
32 bit
|
2.133 GHz
|
FBGA-200
|
512 M x 32
|
3.5 ns
|
1.7 V
|
1.95 V
|
- 40 C
|
+ 95 C
|
|
Tray
|
|
대한민국
