PowerSaver 반도체

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수량 RoHS
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000


ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1


ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v-3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v-3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000


ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1


ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 256K,Low Power/Power Saver,Async,32K x 8,45ns,3.3v,28 Pin TSOP, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480


ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,44 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500


ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,44 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, ECC, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,55ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,55ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async, 1Mb x 16/2Mb x 8, 55ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500


ISSI SRAM 2Mb 128K x 16 45ns Async SRAM
데이터시트
리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1


ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000


ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16/2Mb x 8, 55ns, 2.2v-3.6v,48 Pin TSOP I, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500