RF Power MOSFET 반도체

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결과: 339
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MACOM RF MOSFET 트랜지스터 RF LDMOS FET 재고 없음
최소: 250
배수: 250
: 250

MACOM RF MOSFET 트랜지스터 RF LDMOS FET 재고 없음
최소: 50
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: 50

MACOM RF MOSFET 트랜지스터 RF LDMOS FET 재고 없음
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MACOM RF MOSFET 트랜지스터 RF LDMOS FET 재고 없음
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MACOM RF MOSFET 트랜지스터 RF LDMOS FET 재고 없음
최소: 250
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MACOM RF MOSFET 트랜지스터 RF LDMOS FET 재고 없음
최소: 50
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: 50

MACOM RF MOSFET 트랜지스터 RF LDMOS FET 재고 없음
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: 50

MACOM RF MOSFET 트랜지스터 RF LDMOS FET 재고 없음
최소: 250
배수: 250
: 250

MACOM RF MOSFET 트랜지스터 RF LDMOS FET 재고 없음
최소: 250
배수: 250
: 250

MACOM RF MOSFET 트랜지스터 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE 재고 없음
최소: 50
배수: 50
: 50
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE 재고 없음
최소: 250
배수: 250
: 250
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE 재고 없음
최소: 50
배수: 50
: 50

MACOM RF MOSFET 트랜지스터 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE 재고 없음
최소: 250
배수: 250
: 250

NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V 리드 타임 53 주
최소: 1
배수: 1

NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg., 48 V 비재고 리드 타임 53 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 MV9 800MHZ13.6V 비재고 리드 타임 53 주
최소: 1
배수: 1
: 500

NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 RF LDMOS FET PLD1.5N 비재고 리드 타임 53 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 VHV6 500W 50V NI780H 비재고 리드 타임 53 주
최소: 1
배수: 1
: 50

NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 VHV6 600W 50V NI1230H 리드 타임 53 주
최소: 1
배수: 1
: 50

NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 VHV6 600W 50V NI1230H 비재고 리드 타임 53 주
최소: 1
배수: 1
: 150

MACOM RF MOSFET 트랜지스터 Amplifier, 730-960MHz, PTRA084858NB-V1 LDMOS FET included 재고 없음
최소: 1
배수: 1
없음
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 Amplifier, 925-960MHz, PTRA095908NB-V1 LDMOS FET included 재고 없음
최소: 1
배수: 1
없음
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 Amplifier, 730-960MHz, PTRA097058NB-V1 LDMOS FET included 재고 없음
최소: 1
배수: 1
없음
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 Amplifier Doherty, 2615-2675 MHz, PXAE261908NF LDMOS FET included 재고 없음
최소: 1
배수: 1
없음
Microchip Technology VRF161
Microchip Technology RF MOSFET 트랜지스터 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 200 W 175 MHz M174 비재고 리드 타임 30 주
최소: 12
배수: 1