TO-3P-3 디스크리트 반도체

이산 반도체의 유형

카테고리 보기 변경
결과: 138
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 제품 유형 기술 장착 스타일 패키지/케이스

Taiwan Semiconductor 정류기 80ns 30A 600V High E ff Recovery Rect 1,141재고 상태
최소: 1
배수: 1

Rectifiers Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics SCR 30 Amp 1200 Volt 688재고 상태
600예상 2026-07-09
최소: 1
배수: 1

SCRs Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics SCR 40 Amp 600 Volt 550재고 상태
1,200예상 2026-10-12
최소: 1
배수: 1

SCRs Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET 911재고 상태
960예상 2026-08-24
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET -26.0 Amps -200V 0.170 Rds 380재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds 527재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds 335재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ 1,402재고 상태
2,000주문 중
최소: 1
배수: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ 2,697재고 상태
최소: 1
배수: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 150W 1,780재고 상태
1,350예상 2026-12-18
최소: 1
배수: 1
최대: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 150W 3,087재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 200W TO-3P PNP 5,549재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 90

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ 427재고 상태
최소: 1
배수: 1

BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-3P-3
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Pb-FPOWERTRANSISTORTO-3PLPC=150WF=100KHZ 561재고 상태
최소: 1
배수: 1

BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-3P-3


Toshiba IGBT 600V/30A DIS 137재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT NPN 230V 15A 1,411재고 상태
16,000주문 중
최소: 1
배수: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics SCR 50 Amp 1200 Volt 111재고 상태
4,200주문 중
최소: 1
배수: 1

SCRs Through Hole TO-3P-3
IXYS 소신호 스위칭 다이오드 120 Amps 300V 28재고 상태
최소: 1
배수: 1

Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS 소신호 스위칭 다이오드 60 Amps 200V 19재고 상태
최소: 1
배수: 1

Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS 소신호 스위칭 다이오드 60 Amps 300V 9재고 상태
최소: 1
배수: 1

Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS 소신호 스위칭 다이오드 60 Amps 400V 30재고 상태
최소: 1
배수: 1

Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds 89재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds 220재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds 58재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds 127재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3