|
|
MOSFET 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247
- IXTX400N20X4
- IXYS
-
1:
₩44,338.4
-
33재고 상태
-
300예상 2026-06-19
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
747-IXTX400N20X4
신제품
|
IXYS
|
MOSFET 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247
|
|
33재고 상태
300예상 2026-06-19
|
|
|
₩44,338.4
|
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₩35,780.8
|
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|
₩31,296.8
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|
₩29,503.2
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최소: 1
배수: 1
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|
SiC MOSFET 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
- CDMS24740-170 SL PBFREE
- Central Semiconductor
-
1:
₩60,116
-
27재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
610-CDMS24740-170SL
신제품
|
Central Semiconductor
|
SiC MOSFET 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
|
|
27재고 상태
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₩60,116
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₩49,187.2
|
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|
₩43,456.8
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보기
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견적
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최소: 1
배수: 1
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|
MOSFET N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
- STWA60N028T
- STMicroelectronics
-
1:
₩10,746.4
-
623재고 상태
-
600예상 2026-07-02
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-STWA60N028T
신제품
|
STMicroelectronics
|
MOSFET N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
|
|
623재고 상태
600예상 2026-07-02
|
|
|
₩10,746.4
|
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|
₩7,189.6
|
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₩5,776
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|
₩5,137.6
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₩4,529.6
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|
최소: 1
배수: 1
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|
SiC 쇼트키 다이오드 RECT 650V 20A RDL POWER SIC
- VS-3C20CP07L-M3
- Vishay Semiconductors
-
1:
₩11,582.4
-
512재고 상태
|
Mouser 부품 번호
78-VS-3C20CP07L-M3
|
Vishay Semiconductors
|
SiC 쇼트키 다이오드 RECT 650V 20A RDL POWER SIC
|
|
512재고 상태
|
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|
₩11,582.4
|
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|
₩6,368.8
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|
₩5,426.4
|
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|
₩4,970.4
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최소: 1
배수: 1
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|
SiC 쇼트키 다이오드 RECT 650V 20A RDL POWER SIC
- VS-3C40CP07L-M3
- Vishay Semiconductors
-
1:
₩16,416
-
672재고 상태
|
Mouser 부품 번호
78-VS-3C40CP07L-M3
|
Vishay Semiconductors
|
SiC 쇼트키 다이오드 RECT 650V 20A RDL POWER SIC
|
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672재고 상태
|
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₩16,416
|
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₩10,579.2
|
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₩9,211.2
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₩8,147.2
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최소: 1
배수: 1
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|
MOSFET Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
- FDH44N50
- onsemi
-
1:
₩15,732
-
6,580재고 상태
|
Mouser 부품 번호
512-FDH44N50
|
onsemi
|
MOSFET Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
|
|
6,580재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 60
|
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|
|
IGBT 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD
- IXYH100N65C5
- IXYS
-
1:
₩24,274.4
-
70재고 상태
-
300예상 2026-11-06
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
747-IXYH100N65C5
신제품
|
IXYS
|
IGBT 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD
|
|
70재고 상태
300예상 2026-11-06
|
|
|
₩24,274.4
|
|
|
₩16,963.2
|
|
|
₩13,011.2
|
|
최소: 1
배수: 1
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|
SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
- SCT3080KLGC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
₩36,358.4
-
1,137재고 상태
|
Mouser 부품 번호
755-SCT3080KLGC11
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
|
|
1,137재고 상태
|
|
|
₩36,358.4
|
|
|
₩23,043.2
|
|
|
₩22,617.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
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|
|
MOSFET SUPERFET3 FAST 650V TO247
- NTHL019N65S3H
- onsemi
-
1:
₩41,055.2
-
839재고 상태
|
Mouser 부품 번호
863-NTHL019N65S3H
|
onsemi
|
MOSFET SUPERFET3 FAST 650V TO247
|
|
839재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
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|
|
|
IGBT IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
- BIDW50N65T
- Bourns
-
1:
₩10,168.8
-
2,180재고 상태
|
Mouser 부품 번호
652-BIDW50N65T
|
Bourns
|
IGBT IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
|
|
2,180재고 상태
|
|
|
₩10,168.8
|
|
|
₩5,791.2
|
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|
₩4,833.6
|
|
|
₩4,529.6
|
|
|
₩4,408
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
SiC 쇼트키 다이오드 RECT 650V 8A RDL POWER SIC
- VS-3C16CP07L-M3
- Vishay Semiconductors
-
1:
₩10,168.8
-
886재고 상태
|
Mouser 부품 번호
78-VS-3C16CP07L-M3
|
Vishay Semiconductors
|
SiC 쇼트키 다이오드 RECT 650V 8A RDL POWER SIC
|
|
886재고 상태
|
|
|
₩10,168.8
|
|
|
₩6,247.2
|
|
|
₩4,742.4
|
|
|
₩4,134.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
쇼트키 다이오드 및 정류기 2x 20A 100V Rectifier
- MBR40100WT
- Littelfuse
-
1:
₩8,618.4
-
7,762재고 상태
|
Mouser 부품 번호
576-MBR40100WT
|
Littelfuse
|
쇼트키 다이오드 및 정류기 2x 20A 100V Rectifier
|
|
7,762재고 상태
|
|
|
₩8,618.4
|
|
|
₩5,791.2
|
|
|
₩4,560
|
|
|
₩4,408
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
IGBT 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
- IKW40N65ET7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩9,104.8
-
7,820재고 상태
|
Mouser 부품 번호
726-IKW40N65ET7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
IGBT 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
|
|
7,820재고 상태
|
|
|
₩9,104.8
|
|
|
₩5,958.4
|
|
|
₩4,392.8
|
|
|
₩3,906.4
|
|
|
₩3,465.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
MOSFET HIGH POWER_NEW
- IPW60R017C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩35,704.8
-
1,492재고 상태
|
Mouser 부품 번호
726-IPW60R017C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
MOSFET HIGH POWER_NEW
|
|
1,492재고 상태
|
|
|
₩35,704.8
|
|
|
₩26,660.8
|
|
|
₩23,058.4
|
|
|
₩21,827.2
|
|
|
견적
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
IGBT TO247 3KV 32A IGBT
- IXBH32N300
- IXYS
-
1:
₩128,607.2
-
201재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXBH32N300
|
IXYS
|
IGBT TO247 3KV 32A IGBT
|
|
201재고 상태
|
|
|
₩128,607.2
|
|
|
₩111,142.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
MOSFET MOSFET
- IXFX64N60P
- IXYS
-
1:
₩42,423.2
-
1,148재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXFX64N60P
|
IXYS
|
MOSFET MOSFET
|
|
1,148재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
MOSFET 12 Amps 1000V 1.3 Ohms Rds
- IXTH12N100L
- IXYS
-
1:
₩44,064.8
-
914재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTH12N100L
|
IXYS
|
MOSFET 12 Amps 1000V 1.3 Ohms Rds
|
|
914재고 상태
|
|
|
₩44,064.8
|
|
|
₩31,920
|
|
|
₩28,180.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
IGBT TO247 1200V 85A XPT
- IXYH85N120A4
- IXYS
-
1:
₩34,382.4
-
1,390재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXYH85N120A4
|
IXYS
|
IGBT TO247 1200V 85A XPT
|
|
1,390재고 상태
|
|
|
₩34,382.4
|
|
|
₩21,736
|
|
|
₩21,629.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
IGBT XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
- IXYX110N120B4
- IXYS
-
1:
₩39,580.8
-
1,256재고 상태
-
150예상 2026-06-15
|
Mouser 부품 번호
747-IXYX110N120B4
|
IXYS
|
IGBT XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
|
|
1,256재고 상태
150예상 2026-06-15
|
|
|
₩39,580.8
|
|
|
₩31,707.2
|
|
|
₩28,302.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
- SCT3022ALGC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
₩74,829.6
-
389재고 상태
|
Mouser 부품 번호
755-SCT3022ALGC11
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
|
|
389재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
MOSFET MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC
- IRFP064NPBF
- Infineon Technologies
-
1:
₩5,943.2
-
13,156재고 상태
|
Mouser 부품 번호
942-IRFP064NPBF
|
Infineon Technologies
|
MOSFET MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC
|
|
13,156재고 상태
|
|
|
₩5,943.2
|
|
|
₩3,876
|
|
|
₩2,812
|
|
|
₩2,356
|
|
|
보기
|
|
|
₩2,188.8
|
|
|
₩2,052
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
IGBT 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
- IKQ100N120CS7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩22,237.6
-
1,112재고 상태
|
Mouser 부품 번호
726-IKQ100N120CS7XKS
|
Infineon Technologies
|
IGBT 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
|
|
1,112재고 상태
|
|
|
₩22,237.6
|
|
|
₩16,948
|
|
|
₩14,120.8
|
|
|
₩12,585.6
|
|
|
₩11,764.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
IGBT 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
- IKQ120N120CS7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩24,791.2
-
601재고 상태
|
Mouser 부품 번호
726-IKQ120N120CS7XKS
|
Infineon Technologies
|
IGBT 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
|
|
601재고 상태
|
|
|
₩24,791.2
|
|
|
₩18,878.4
|
|
|
₩15,732
|
|
|
₩14,029.6
|
|
|
₩13,102.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
- NTHL075N065SC1
- onsemi
-
1:
₩16,340
-
653재고 상태
|
Mouser 부품 번호
863-NTHL075N065SC1
|
onsemi
|
SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
|
|
653재고 상태
|
|
|
₩16,340
|
|
|
₩9,682.4
|
|
|
₩8,208
|
|
|
₩8,101.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
MOSFET LinearL2 Powr MOSFET w/extended FBSOA
- IXTH75N10L2
- IXYS
-
1:
₩31,904.8
-
2,769재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTH75N10L2
|
IXYS
|
MOSFET LinearL2 Powr MOSFET w/extended FBSOA
|
|
2,769재고 상태
|
|
|
₩31,904.8
|
|
|
₩20,018.4
|
|
|
₩19,425.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
대한민국
