결과: 88
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ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2666MT/s at 19-19-19, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2400MT/s at 17-17-17, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2666MT/s at 19-19-19, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2400MT/s at 17-17-17, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 256Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 242
배수: 242

ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1333MT/s at 9-9-9, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1600MT/s at 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1600MT/s at 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 128Mx8, 1600MT/s at 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Alliance Memory DRAM DDR3L, 1Gb, 128M x 8, 1.35V, 78-ball BGA, 800MHz, Commercial Temp, T&R, C Die 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Alliance Memory DRAM DDR3L, 1Gb, 128M x 8, 1.35V, 78-ball BGA, 800MHz, Industrial Temp, T&R, C Die 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 재고 없음
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 재고 없음
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
ISSI IS43TR81024B-107MBLI
ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136

ISSI IS43TR81024BL-107MBL
ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

ISSI IS43QR85120B-075UBL
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2666MT/s at 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

ISSI IS43TR81024B-107MBL
ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136

ISSI IS46QR81024A-075VBLA1-TR
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2666MT/s at 19-19-19, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI IS46QR81024A-075VBLA2-TR
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2666MT/s at 19-19-19, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000