BGA-48 반도체

결과: 228
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ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,3.3V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed,Async,512K x 16,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,64K x 16,2.4V-3.6V (10ns), 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 1M, 2.5-3.6V, 10ns 64Kx16 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,64K x 16,8ns/3.3v or 10ns/2.5v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,55ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,55ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,70ns,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (7.2x8.7mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,64K x 16,55ns,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,64K x 16,55ns,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 1M (128Kx8) 12ns Async SRAM 3.3v 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,128K x 8,12ns/3.3v or 15ns/2.5v-3.6v, 48 Ball mBGA I (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ECC, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ECC, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI SRAM 8Mb 1Mb x 8 10ns Async SRAM 3.3v 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4V-3.6V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500