결과: 308
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ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 135
배수: 135


ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, ERR1/2 Pins, RoHS, Auto temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,64K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS, Automotive temp
비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,64K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS, Automotive temp
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500


ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,64K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v 1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500


ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,64K x 16,2.4V-3.6V (8ns),44 Pin TSOP II, RoHS
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 16Mb 1.65-2.2V 55ns 1Mx16 Async SRAM 비재고 리드 타임 16 주
최소: 96
배수: 96

ISSI SRAM 512Kb, Serial SRAM, 2.2V-3.6V, 20MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
비재고 리드 타임 16 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v 1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500


ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, ERR1/ERR2 Pins, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ECC, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ECC, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500


ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, ECC, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 96
배수: 96


ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, ECC, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v 2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500


ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v 2.2v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1


ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v 2.2v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000


ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async, 1Mb x 16/2Mb x 8, 45ns, 2.2v 3.6v,48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,2M x 8,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480