결과: 308
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS

Renesas Electronics SRAM SRAM 4MB FAST X16 3V SOJ 12NS 0TO70C 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1


Renesas Electronics SRAM SRAM 4MB FAST X16 3V SOJ 12NS -40TO85C 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1


Renesas Electronics SRAM SRAM 4MB FAST X16 3V SOJ 12NS 0TO70C 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

Renesas Electronics SRAM 4KX9 SYNC DUAL PORT 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1

Renesas Electronics SRAM 32K X 36 SYNCH DPRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 48
배수: 6
없음
Renesas Electronics SRAM 32K X 36 SYNCH DPRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
없음
Lantronix B43H207S
Lantronix 게이트웨이 BOLERO43 WATERPROOF (IP68-RATED) VEHICLE TRACKER FOR JAPAN - 10.8 V DC 48 V DC - LI-ION BATTERY BACKUP - IGNITION - CAN BUS X 1 - VERSATILE I/O X 2 - 1-WIRE INTERFACE X 1 - 3-WAY CONCURRENT GNSS 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1
배수: 1
Microchip Technology ATECC608C-MAHDA-T
Microchip Technology 보안 IC / 인증 IC ECC/ECDH, I2C, 15K reel UDFN 재고 없음
최소: 1
배수: 1
: 15,000

NXP Semiconductors MCF54452VP266R
NXP Semiconductors 마이크로프로세서 - MPU REDSTRIPE 360 ColdFire 비재고 리드 타임 16 주
최소: 500
배수: 500
: 500

NXP Semiconductors MCF54453CVP200
NXP Semiconductors 마이크로프로세서 - MPU REDSTRIPE 360 ColdFire 비재고 리드 타임 16 주
최소: 300
배수: 300

NXP Semiconductors MCF54453VP266
NXP Semiconductors 마이크로프로세서 - MPU REDSTRIPE 360 ColdFire 비재고 리드 타임 16 주
최소: 300
배수: 300

NXP Semiconductors MCF54454CVP200
NXP Semiconductors 마이크로프로세서 - MPU REDSTRIPE 360 ColdFire 비재고 리드 타임 16 주
최소: 300
배수: 300

NXP Semiconductors MCF54454VP266
NXP Semiconductors 마이크로프로세서 - MPU REDSTRIPE 360 ColdFire 비재고 리드 타임 16 주
최소: 300
배수: 300

NXP Semiconductors MCF54455VP266
NXP Semiconductors 마이크로프로세서 - MPU REDSTRIPE 360 ColdFire 비재고 리드 타임 16 주
최소: 300
배수: 300

Terasic Technologies S0567
Terasic Technologies 메모리 모듈 QDRII+ Memory Module for Stratix 10 Board 재고 없음
최소: 1
배수: 1
Infineon Technologies CY7S1061GE30-10BVM
Infineon Technologies SRAM 16Mb Powersnooze 3.3V ERR pinMil temp
비재고 리드 타임 15 주
최소: 2,400
배수: 2,400
없음

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000


ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 135
배수: 135

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480


ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 135
배수: 135

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v 3.6v, 2 CS 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v 3.6v, 2 CS 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500