아래 카테고리 중 하나를 선택하시면 필터링 옵션을 보실 수 있으며 범위를 좁혀 검색하실 수 있습니다.
 추가 항목 표시 
결과: 684
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500


ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 135
배수: 135


ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed,Async,512K x 16,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500


ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480


ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 135
배수: 135

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500


ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000


ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500


ISSI SRAM 8Mb, Low Power Async, 1Mbx8 5v,44 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000


ISSI SRAM 8Mb, Low Power Async, 512Kx16, 5v,44 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 8, 45ns, 2.2v 3.6v,2 CS, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 8, 45ns, 2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500


ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 8, 45ns, 2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 8, 45ns, 2.2v 3.6v,2 CS, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500


ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v, 2 CS, 48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500