8 Mbit BGA-48 반도체

반도체의 유형

카테고리 보기 변경
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
ISSI SRAM 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych SRAM 1,768재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI SRAM 8Mb 512Kx16 55ns Async SRAM 531재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,70ns,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (7.2x8.7mm), RoHS 208재고 상태
최소: 1
배수: 1

Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 5V 8Mbit x16 I/O BGA-48 Top Boot 409재고 상태
최소: 1
배수: 1

Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 8Mbit x16 I/O BGA-48 Top Boot 419재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI SRAM 8M (512Kx16) 10ns Async SRAM 3.3v 1,430재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI SRAM 8Mb 1Mb x 8 10ns Async SRAM 3.3v 324재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI SRAM 8M (512Kx16) 10ns Async SRAM 31재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 9재고 상태
최소: 1
배수: 1

Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 5V 8Mbit x16 I/O BGA-48 Top Boot 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 8Mbit x16 I/O BGA-48 Bottom Boot 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 8Mbit x16 I/O BGA-48 Bottom Boot 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 8Mbit x16 I/O BGA-48 Top Boot 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed,Async,512K x 16,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,70ns,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (7.2x8.7mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 8Mb 1Mb x 8 10ns Async SRAM 3.3v 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 480
배수: 480