8 Gbit 반도체

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결과: 182
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Macronix NAND 플래시 SLC NAND 3V 8Gbit x8 BGA-63 8Bit ECC 비재고 리드 타임 53 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC 비재고 리드 타임 53 주
최소: 2,200
배수: 220
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC 비재고 리드 타임 53 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC +105C 비재고 리드 타임 53 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 8Bit ECC 비재고 리드 타임 53 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
GigaDevice GD9FS8G8E4DLGI
GigaDevice NAND 플래시 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,100
배수: 2,100

GigaDevice GD9FS8G8E4DMGI
GigaDevice NAND 플래시 비재고 리드 타임 12 주
최소: 960
배수: 960

GigaDevice GD9FU8G8E4DLGI
GigaDevice NAND 플래시 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,100
배수: 2,100

GigaDevice GD9FU8G8E4DMGI
GigaDevice NAND 플래시 비재고 리드 타임 12 주
최소: 960
배수: 960

Zentel Japan DRAM DDR3L 8Gb, 512Mx16 (1CS, 1ZQ), 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-96 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,900
배수: 1,900

ISSI DRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 44 주
최소: 136
배수: 136

ISSI DRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 44 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 34 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 34 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 34 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 34 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 34 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 34 주
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 34 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
136예상 2027-01-19
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS 비재고 리드 타임 34 주
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 34 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 34 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS 비재고 리드 타임 34 주
최소: 136
배수: 136

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 34 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000