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결과: 312
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,090
배수: 2,090

Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,090
배수: 2,090

Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,420
배수: 2,420

ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 136
배수: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA(10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 136
배수: 136

ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500

ISSI NAND 플래시 4Gb (x8, 4bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI NAND 플래시 4Gb (x8, 4bit ECC), TSOP-48, 1.8V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI NAND 플래시 4Gb (x8, 8bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R, , AutoGrade 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI NAND 플래시 4Gb (x16, 8bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT, T&R, AutoGrade 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500


ISSI NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 36 주
최소: 136
배수: 136

ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS 비재고 리드 타임 36 주
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500