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|
DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
- A3T4GF30BBF-HPI
- Zentel Japan
-
2,090:
₩30,886.4
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
155-A3T4GF30BBF-HPI
|
Zentel Japan
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DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
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비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 2,090
배수: 2,090
|
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DRAM DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
- A3T4GF30BBF-JRI
- Zentel Japan
-
2,090:
₩31,920
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
155-A3T4GF30BBF-JRI
|
Zentel Japan
|
DRAM DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
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비재고 리드 타임 16 주
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최소: 2,090
배수: 2,090
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DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
- A3T4GF40BBF-JRI
- Zentel Japan
-
2,420:
₩31,920
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
155-A3T4GF40BBF-JRI
|
Zentel Japan
|
DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
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비재고 리드 타임 16 주
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최소: 2,420
배수: 2,420
|
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|
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|
DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R
- IS43QR16256B-083RBL-TR
- ISSI
-
2,500:
₩35,355.2
-
비재고 리드 타임 36 주
|
Mouser 부품 번호
870-16256B-083RBL-TR
|
ISSI
|
DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 36 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
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|
DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT, T&R
- IS43QR16256B-083RBLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩38,896.8
-
비재고 리드 타임 36 주
|
Mouser 부품 번호
870-16256B083RBLI-TR
|
ISSI
|
DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT, T&R
|
|
비재고 리드 타임 36 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
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|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
- IS46LQ32128A-062TBLA1-TR
- ISSI
-
2,500:
₩43,183.2
-
비재고 리드 타임 40 주
|
Mouser 부품 번호
870-32128A062TBLA1T
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 40 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
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|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
- IS46LQ32128A-062TBLA2-TR
- ISSI
-
2,500:
₩39,778.4
-
비재고 리드 타임 40 주
|
Mouser 부품 번호
870-32128A062TBLA2T
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 40 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
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|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
- IS46LQ32128AL-062TBLA1
- ISSI
-
136:
₩43,274.4
-
비재고 리드 타임 40 주
|
Mouser 부품 번호
870-32128AL062TBLA1
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 40 주
|
|
최소: 136
배수: 136
|
|
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|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
- IS46LQ32128AL-062TBLA1-TR
- ISSI
-
2,500:
₩43,183.2
-
비재고 리드 타임 40 주
|
Mouser 부품 번호
870-32128AL062TBLA1T
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 40 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
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|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA(10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
- IS46LQ32128AL-062TBLA2
- ISSI
-
136:
₩39,884.8
-
비재고 리드 타임 40 주
|
Mouser 부품 번호
870-32128AL062TBLA2
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA(10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 40 주
|
|
최소: 136
배수: 136
|
|
|
|
|
DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
- IS43LQ32128AL-062TBLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩40,751.2
-
비재고 리드 타임 36 주
|
Mouser 부품 번호
870-32128AL062TBLIT
|
ISSI
|
DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 36 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
- IS46LQ32128AL-06T2BLA2-TR
- ISSI
-
2,500:
₩36,024
-
재고 없음
|
Mouser 부품 번호
870-32128AL06T2BLA2T
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
|
|
재고 없음
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
|
|
|
NAND 플래시 4Gb (x8, 4bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R
- IS34ML04G084-TLI-TR
- ISSI
-
1,500:
₩31,129.6
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-34ML04G084TLITR
|
ISSI
|
NAND 플래시 4Gb (x8, 4bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
|
|
NAND 플래시 4Gb (x8, 4bit ECC), TSOP-48, 1.8V, RoHS, IT, T&R
- IS34MW04G084-TLI-TR
- ISSI
-
1,500:
₩31,676.8
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-34MW04G084TLITR
|
ISSI
|
NAND 플래시 4Gb (x8, 4bit ECC), TSOP-48, 1.8V, RoHS, IT, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
|
|
NAND 플래시 4Gb (x8, 8bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R, , AutoGrade
- IS35ML04G088-BLA2-TR
- ISSI
-
1,500:
₩36,632
-
비재고 리드 타임 52 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
870-35ML04G088BLA2TR
신제품
|
ISSI
|
NAND 플래시 4Gb (x8, 8bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R, , AutoGrade
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
|
|
NAND 플래시 4Gb (x16, 8bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT, T&R, AutoGrade
- IS35ML04G168-BLA2-TR
- ISSI
-
2,500:
₩40,204
-
비재고 리드 타임 52 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
870-35ML04G168BLA2TR
신제품
|
ISSI
|
NAND 플래시 4Gb (x16, 8bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT, T&R, AutoGrade
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R
- IS37SMW04G8B-JHLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩27,983.2
-
비재고 리드 타임 52 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
870-37SMW04G8BJHLITR
신제품
|
ISSI
|
NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R
- IS37SMW04G8B-JJLI-TR
- ISSI
-
4,000:
₩27,679.2
-
비재고 리드 타임 52 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
870-37SMW04G8BJJLITR
신제품
|
ISSI
|
NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 4,000
배수: 4,000
:
4,000
|
|
|
|
|
DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
- IS43LQ32128AL-062BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩41,420
-
비재고 리드 타임 36 주
|
Mouser 부품 번호
870-43L128A2BLITR
|
ISSI
|
DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 36 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
- IS43LQ16256AL-062BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩42,271.2
-
비재고 리드 타임 36 주
|
Mouser 부품 번호
870-43L256AL2BLITR
|
ISSI
|
DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 36 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
- IS43LQ16256AL-062BLI
- ISSI
-
136:
₩42,347.2
-
비재고 리드 타임 36 주
|
Mouser 부품 번호
870-43L6256A-062BLI
|
ISSI
|
DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 36 주
|
|
최소: 136
배수: 136
|
|
|
|
|
DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R
- IS43QR85120B-083RBL-TR
- ISSI
-
2,000:
₩38,653.6
-
비재고 리드 타임 36 주
|
Mouser 부품 번호
870-43QR85120B3RB-TR
|
ISSI
|
DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 36 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
- IS43QR85120B-083RBL
- ISSI
-
1:
₩46,816
-
비재고 리드 타임 36 주
|
Mouser 부품 번호
870-43QR85120B3RBL
|
ISSI
|
DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 36 주
|
|
|
₩46,816
|
|
|
₩43,350.4
|
|
|
₩41,982.4
|
|
|
₩40,948.8
|
|
|
₩39,489.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R
- IS43QR85120B-083RBLI-TR
- ISSI
-
2,000:
₩42,484
-
비재고 리드 타임 36 주
|
Mouser 부품 번호
870-43QR8512B3RBLITR
|
ISSI
|
DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R
|
|
비재고 리드 타임 36 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
- IS43TR16256B-107MBLI-TR
- ISSI
-
1,500:
₩28,773.6
-
비재고 리드 타임 40 주
|
Mouser 부품 번호
870-43T16256B107MBIT
|
ISSI
|
DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
|
|
비재고 리드 타임 40 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|