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결과: 312
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS
Macronix NAND 플래시 Serial NAND 3V 4Gbit x4 WSON-8 8Bit ECC
데이터시트
비재고 리드 타임 53 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000
Macronix NAND 플래시 Serial NAND 3V 4Gbit x4 BGA-24 ECC-Free
데이터시트
비재고 리드 타임 53 주
최소: 4,800
배수: 480
Macronix NAND 플래시 Serial NAND 3V 4Gbit x4 BGA-24 ECC-Free
데이터시트
비재고 리드 타임 53 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
Macronix NAND 플래시 Serial NAND 3V 4Gbit x4 WSON-8 ECC-Free
데이터시트
비재고 리드 타임 53 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000
Macronix NAND 플래시 Serial NAND 1.8V 4Gbit x4 WSON-8 8Bit ECC
데이터시트
비재고 리드 타임 53 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000
Macronix NAND 플래시 Serial NAND 1.8V 4Gbit x4 WSON-8 ECC-Free
데이터시트
비재고 리드 타임 53 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000
GigaDevice GD5F4GM8UEBIGY
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 4,800
배수: 4,800

GigaDevice GD9FS4G8F4DLGI
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,100
배수: 2,100

GigaDevice GD9FS4G8F4DMGI
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 960
배수: 960

GigaDevice GD9FU4G8F4DLGI
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,100
배수: 2,100

GigaDevice GD9FU4G8F4DMGI
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 960
배수: 960

Kioxia America NAND 플래시 SEE PRODUCT COMMENTS BELOW 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
제품 코멘트
재고 없음

GigaDevice GD5F4GM8REY2GY
GigaDevice NAND 플래시 재고 없음
최소: 4,800
배수: 4,800

GigaDevice GD5F4GM8UEB2GY
GigaDevice NAND 플래시 비재고 리드 타임 16 주
최소: 4,800
배수: 4,800

GigaDevice GD5F4GM8UEYJGR
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

GigaDevice GD9FU4G8F3ALGJ
GigaDevice NAND 플래시 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,100
배수: 2,100

GigaDevice GD9FU4G8F3AMG2
GigaDevice NAND 플래시 재고 없음
최소: 960
배수: 960

GigaDevice GD9FU4G8F3AMGJ
GigaDevice NAND 플래시 비재고 리드 타임 16 주
최소: 960
배수: 960

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,090
배수: 2,090

Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,090
배수: 2,090

Zentel Japan DRAM DDR3L 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,090
배수: 2,090

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,420
배수: 2,420

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,420
배수: 2,420

Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,420
배수: 2,420

Zentel Japan DRAM DDR3L 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-96
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,420
배수: 2,420