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결과: 312
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500


ISSI NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, T&R, Auto Grade 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, T&R, Auto Grade 비재고 리드 타임 52 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 36 주
최소: 1
배수: 1
ISSI NAND 플래시 4G 3.3V x8 NAND 플래시 Q100 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI NAND 플래시 SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,63-ball VFBGA 9x11x1.0mm 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

ISSI NAND 플래시 SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,48-pin TSOP (Type I) 12x20mm 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

ISSI NAND 플래시 4Gb (x8, 8bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, , AutoGrade 비재고 리드 타임 52 주
최소: 96
배수: 96

ISSI NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 3V, RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM SUGGESTED ALTERNATE IS43LQ32128A-062TBLI 비재고 리드 타임 36 주
최소: 136
배수: 136

ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 40 주
최소: 171
배수: 171

ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 136
배수: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 36 주
최소: 136
배수: 136


ISSI NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade 비재고 리드 타임 52 주
최소: 480
배수: 480

ISSI NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade 비재고 리드 타임 52 주
최소: 480
배수: 480

Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 933MHz, Commercial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 933MHz, Industrial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000