6 GHz 반도체

선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
MACOM PIN 다이오드 10MHz-6GHz 2.5W Peak -65C +125C 250재고 상태
90,000주문 중
최소: 1
배수: 1
: 3,000

MACOM GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt 5재고 상태
1,200주문 중
최소: 1
배수: 1

MACOM GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt 5재고 상태
1,200예상 2026-08-14
최소: 1
배수: 1
: 200

Skyworks Solutions, Inc. PIN 다이오드 Ls=.7nH SC-79 Single 64재고 상태
249,000예상 2026-07-07
최소: 1
배수: 1
: 3,000

MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt 10재고 상태
최소: 10
배수: 10

Infineon Technologies BAR 64-02V H6327
Infineon Technologies PIN 다이오드 RF DIODE 1,595재고 상태
26예상 2026-12-10
최소: 1
배수: 1
: 3,000

MACOM GaN FET GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
400예상 2026-12-16
최소: 1
배수: 1

MACOM GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
567주문 중
최소: 1
배수: 1

Skyworks Solutions, Inc. PIN 다이오드 .45pF -40C +150C Thrshld Lvl +12 dBm
112,639주문 중
최소: 1
배수: 1
: 3,000


Skyworks Solutions, Inc. PIN 다이오드 Anti-parallel PIN Diode Limiter
36,010예상 2026-11-23
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Skyworks Solutions, Inc. PIN 다이오드 Ls=.45nH SOD-882 Single
19,360예상 2026-06-30
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Qorvo GaN FET 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
40예상 2026-07-20
최소: 1
배수: 1

MACOM GaN FET 10W, 4.0GHz, 830120P, GaN HEMT, PILL
117예상 2026-11-17
최소: 1
배수: 1

Skyworks Solutions, Inc. PIN 다이오드 .33pF -40C +150C Thrshld Lvl +9 dBm
1,218예상 2026-11-16
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Qorvo GaN FET DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN 비재고 리드 타임 20 주
최소: 100
배수: 100


MACOM PIN 다이오드 Vr=500VDC Rs=.45 Ohm Cj=.35pF 비재고 리드 타임 16 주
최소: 100
배수: 100
MACOM PIN 다이오드 1-6000MHz .32pF -55C +125C 비재고 리드 타임 20 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

MACOM GaN FET GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 25 Watt 비재고 리드 타임 26 주
최소: 80
배수: 80

MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt 비재고 리드 타임 26 주
최소: 100
배수: 10

MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
비재고 리드 타임 26 주
최소: 40
배수: 10

MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt 비재고 리드 타임 26 주
최소: 50
배수: 10

MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
비재고 리드 타임 26 주
최소: 10
배수: 10