933 MHz 반도체

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ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 리드 타임 30 주
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 30 주
최소: 1
배수: 1
: 1,500
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 30 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
ISSI DRAM 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS 재고 없음
최소: 136
배수: 1
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 30 주
최소: 242
배수: 242

ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 30 주
최소: 242
배수: 242

ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3 I-Temp 비재고 리드 타임 30 주
최소: 190
배수: 190

ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 30 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 30 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L 비재고 리드 타임 30 주
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS 비재고 리드 타임 34 주
최소: 136
배수: 136

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 34 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 34 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 34 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 34 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 190
배수: 190

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 136
배수: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000