933 MHz 반도체

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GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M 재고 없음
최소: 10
배수: 10

GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 4M x 36 144M 재고 없음
최소: 10
배수: 10

GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M 재고 없음
최소: 10
배수: 10

GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 4M x 36 144M 재고 없음
최소: 10
배수: 10

GSI Technology SRAM SigmaDDR-IVe, 144Mb, x18, 933MHz, Industrial Temp 재고 없음
최소: 10
배수: 10

GSI Technology SRAM SigmaDDR-IVe, 144Mb, x36, 933MHz, Industrial Temp 재고 없음
최소: 10
배수: 10

GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M 재고 없음
최소: 10
배수: 10

GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 4M x 36 144M 재고 없음
최소: 10
배수: 10

GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M 재고 없음
최소: 10
배수: 10

GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 4M x 36 144M 재고 없음
최소: 10
배수: 10

GSI Technology SRAM SigmaDDR-IVe, 144Mb, x18, 933MHz, Commercial Temp 재고 없음
최소: 10
배수: 10

GSI Technology SRAM SigmaDDR-IVe, 144Mb, x36, 933MHz, Commercial Temp 재고 없음
최소: 10
배수: 10

Infineon Technologies CY7C4042KV13-933FCXC
Infineon Technologies SRAM SYNC 비재고 리드 타임 20 주
최소: 600
배수: 600

Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 64Mx16, 1866 at CL13, 1.5V, FBGA-96 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,900
배수: 1,900

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,420
배수: 2,420

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,090
배수: 2,090

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,420
배수: 2,420

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,420
배수: 2,420

Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 64Mx16, 1866 at CL13, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,900
배수: 1,900

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,420
배수: 2,420

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,090
배수: 2,090

ISSI DRAM 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 재고 없음
최소: 2,000
배수: 1
ISSI DRAM 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 34 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 190
배수: 190
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 30 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500