933 MHz 반도체

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Micron DRAM DDR3 1G 64MX16 FBGA 53재고 상태
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최대: 100
: 2,000

Micron DRAM DDR3 1Gbit 16 96/144TFBGA 1 AT 2재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

Micron DRAM DDR3 4Gbit 16 96/144TFBGA 1 CT 4재고 상태
14,688예상 2027-02-22
최소: 1
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최대: 100

Micron DRAM DDR3 4Gbit 16 96/144TFBGA 1 IT 6재고 상태
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최대: 100

Micron DRAM DDR3 8Gbit 16 96/144TFBGA 2 AT 3재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

Micron DRAM DDR3 8Gbit 16 96/144TFBGA 2 IT 2재고 상태
3,672예상 2027-01-25
최소: 1
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최대: 100


Winbond DRAM 2Gb DDR3 SDRAM, x16, 933MHz 104재고 상태
최소: 1
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최대: 100

Winbond DRAM 4Gb DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 933MHz 77재고 상태
69주문 중
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최대: 100

ISSI IS43TR81024BL-107MBLI
ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT 126재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT 122재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT 33재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 8G 512Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3 I-Temp 40재고 상태
6,392주문 중
최소: 1
배수: 1

Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ, Commercial Temp - Tray 41재고 상태
최소: 1
배수: 1

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 128Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96 6재고 상태
최소: 1
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Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 256Mx16, 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-96
830예상 2026-06-03
최소: 1
배수: 1

SMARTsemi DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 256MX16 1866Mbps 1.35V/1.5V 96-FBGA Industrial
198주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L I-Temp
5,677주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT
380주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
380주문 중
최소: 1
배수: 1

Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 933MHz, Industrial Temp - Tray
209예상 2026-10-06
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SMARTsemi DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 256MX16 1866Mbps 1.35V/1.5V 96-FBGA Commercial 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
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Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-78 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 1Gx8 (1CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78 비재고 리드 타임 6 주
최소: 220
배수: 220

Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx16 (2CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-96 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1