933 MHz 반도체

반도체의 유형

카테고리 보기 변경
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx16 (1CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-96 169재고 상태
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx16 (2CS), 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-96 166재고 상태
최소: 1
배수: 1

Micron DRAM DDR3 4Gbit 8 78/117TFBGA 1 CT 6,090재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

Micron DRAM DDR3 4G 512MX8 FBGA 2,973재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100
: 2,000

Micron DRAM DDR3 4G 512MX8 FBGA 1,832재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100
: 2,000

Micron DRAM DDR3 4G 256MX16 FBGA 4,001재고 상태
2,000예상 2026-06-08
최소: 1
배수: 1
최대: 100
: 2,000

Micron DRAM DDR3 4Gbit 16 96/144TFBGA 1 UT 1,024재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

Micron DRAM DDR3 8Gbit 16 96/144TFBGA 2 IT 1,156재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

Alliance Memory DRAM DDR3L, 8Gb, 512M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ COMMERCIAL TEMP , C Die(MT41K512M16HA-125:A) 53재고 상태
132예상 2026-07-27
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT 473재고 상태
최소: 1
배수: 1
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 170재고 상태
최소: 1
배수: 1

Micron MT52L256M64D2LZ-107 WT:B
Micron DRAM LPDDR3 16Gbit 64 216/841 WFBGA 2 WT 1,005재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

Micron DRAM DDR3 2Gbit 16 96/144FBGA 1 AT 1,058재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

Micron DRAM DDR3 2Gbit 16 96/144FBGA 1 CT 288재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

Micron DRAM DDR3 2G 128MX16 FBGA 603재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100
: 2,000

Micron DRAM DDR3 2Gbit 16 96/144FBGA 1 IT 949재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

Micron DRAM DDR3 1Gbit 16 96/144TFBGA 1 CT 2,288재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

Micron DRAM DDR3 1Gbit 16 96/144TFBGA 1 IT 1,703재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

Micron DRAM DDR3 4Gbit 8 78/117TFBGA 1 IT 655재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

Micron DRAM DDR3 4Gbit 16 96/144TFBGA 1 AT 514재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

Winbond DRAM 4Gb DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 933MHz 122재고 상태
69주문 중
최소: 1
배수: 1
최대: 100

ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L I-Temp 383재고 상태
190예상 2026-06-10
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L I-Temp 858재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS 113재고 상태
190예상 2027-02-24
최소: 1
배수: 1

Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ, Industrial Temp - Tray 161재고 상태
최소: 1
배수: 1