167 MHz 반도체

반도체의 유형

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Micron DRAM SDRAM 64M 2MX32 FBGA 700재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100
: 1,000

Micron DRAM SDRAM 64Mbit 16 54/54 TSOP 1 CT 334재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

Micron DRAM SDRAM 128M 4MX32 FBGA 515재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100
: 1,000

Micron DRAM SDRAM 128Mbit 32 90/135 VFBGA 1 IT 710재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 3.3v 167MHz SRAM 3재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, IT 165재고 상태
1,920예상 2026-08-17
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 329재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 1,177재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II, RoHS, IT 165재고 상태
108예상 2026-08-31
최소: 1
배수: 1

Micron DRAM SDRAM 128Mbit 32 90/135 VFBGA 1 AT 115재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

Micron DRAM SDRAM 64Mbit 32 90/135 VFBGA 1 IT 비재고 리드 타임 53 주

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 3재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

ISSI DRAM SDRAM,512M,3.3V,RoHs 166MHz,16Mx32, IT
3,693예상 2026-08-11
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
194예상 2026-05-20
최소: 1
배수: 1

GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M 재고 없음
최소: 10
배수: 10

GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M 재고 없음
최소: 10
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GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 8M x 18 144M 재고 없음
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GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 8M x 18 144M 재고 없음
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GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 8M x 18 144M 재고 없음
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GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M 재고 없음
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GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M 재고 없음
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GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M 재고 없음
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GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M 재고 없음
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GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M 재고 없음
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GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M 재고 없음
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