104 MHz 반도체

반도체의 유형

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GigaDevice NOR 플래시 비재고 리드 타임 10 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
GigaDevice NAND 플래시 비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
GigaDevice NAND 플래시 비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
Microchip Technology NOR 플래시 32Mb 2.7V-3.6V SQI Flash Memory 비재고 리드 타임 9 주
최소: 480
배수: 480

Microchip Technology NOR 플래시 64Mbit 1.8V SQI flash 비재고 리드 타임 7 주
최소: 1
배수: 1

Microchip Technology NOR 플래시 64Mbit 1.8V SQI flash 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

Microchip Technology NOR 플래시 64Mbit 1.8V SQI flash 비재고 리드 타임 7 주
최소: 480
배수: 480

Microchip Technology NOR 플래시 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 TDFN 비재고 리드 타임 7 주
최소: 588
배수: 98

Microchip Technology NOR 플래시 16Mbit SPI/SQI flash 105C, 2.3V-3.6V 비재고 리드 타임 4 주
최소: 392
배수: 98

Microchip Technology NOR 플래시 16Mbit SPI/SQI flash 105C, 2.3V-3.6V 비재고 리드 타임 5 주
최소: 2,100
배수: 2,100
: 2,100

Microchip Technology NOR 플래시 32Mbit SPI/SQI flash 105C, 2.3V-3.6V 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Microchip Technology NOR 플래시 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 TDFN 비재고 리드 타임 7 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Microchip Technology NOR 플래시 64Mbit 1.8V SQI flash 비재고 리드 타임 7 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Microchip Technology NOR 플래시 64Mbit 1.8V SQI flash 비재고 리드 타임 7 주
최소: 2,100
배수: 2,100
: 2,100

Microchip Technology NOR 플래시 64Mbit 1.8V SQI flash 비재고 리드 타임 7 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Microchip Technology NOR 플래시 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 TDFN 비재고 리드 타임 7 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Microchip Technology NOR 플래시 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 SOIC 비재고 리드 타임 8 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

Renesas / Dialog NOR 플래시 1 Mbit, Wide Vcc (1.7V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-N 150mil (Tube), Single, Dual SPI NOR flash 비재고 리드 타임 12 주
최소: 7,840
배수: 98

Renesas / Dialog NOR 플래시 1 Mbit, Wide Vcc (1.7V to 3.6V), -40C to 125C, TSSOP (Tape & Reel), Single, Dual SPI NOR flash 비재고 리드 타임 12 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

Renesas / Dialog NOR 플래시 2 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-N 150mil (Tube), Single, Dual SPI NOR flash 비재고 리드 타임 12 주
최소: 7,840
배수: 98


Renesas / Dialog NOR 플래시 512 Kbit, Wide Vcc (1.7V to 3.6V), -40C to 85C, TSSOP (Tube), Single, Dual SPI NOR flash 비재고 리드 타임 12 주
최소: 8,000
배수: 100

Renesas / Dialog NOR 플래시 1 Mbit, 3.0V (2.3V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-N 150mil (Tube), Single, Dual SPI NOR flash 비재고 리드 타임 12 주
최소: 7,840
배수: 98

Renesas / Dialog NOR 플래시 256 Kbit, 3.0V (2.3V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-N 150mil (Tube), Single, Dual SPI NOR flash 비재고 리드 타임 12 주
최소: 7,840
배수: 98

Renesas / Dialog NOR 플래시 512 Kbit, 3.0V (2.3V to 3.6V), -40C to 85C, TSSOP (Tape & Reel), Single, Dual SPI NOR flash 비재고 리드 타임 12 주
최소: 8,000
배수: 4,000
: 4,000


Renesas / Dialog NOR 플래시 1 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, TSSOP (Tube), Fusion (Single, Dual) SPI NOR flash 비재고 리드 타임 12 주
최소: 8,000
배수: 100