1.6 GHz 반도체

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Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 8Gb, 1.1V, 256Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

NXP Semiconductors 마이크로프로세서 - MPU Layerscape 64-bit Arm Cortex-A53, Dual-core, 1.6GHz, 0 to 105C, Security enabled, 21x21 pkg
비재고 리드 타임 39 주
최소: 60
배수: 60
NXP Semiconductors 마이크로프로세서 - MPU Layerscape 64-bit Arm Cortex-A53, Dual-core, 1.6GHz, 0 to 105C, Security disabled, 21x21 pkg
비재고 리드 타임 39 주
최소: 60
배수: 60
NXP Semiconductors 마이크로프로세서 - MPU Layerscape 64-bit Arm Cortex-A53, Dual-core, 1.6GHz, -40 to 105C, Security enabled, 21x21 pkg
비재고 리드 타임 39 주
최소: 60
배수: 60

NXP Semiconductors 마이크로프로세서 - MPU Layerscape 64-bit Arm Cortex-A72, Dual-core, 1.6GHz, 0 to 105C, Security enabled
비재고 리드 타임 39 주
최소: 60
배수: 60

NXP Semiconductors 마이크로프로세서 - MPU Layerscape 64-bit Arm Cortex-A72, Dual-core, 1.6GHz, 0 to 105C, Security disabled
비재고 리드 타임 39 주
최소: 60
배수: 60

NXP Semiconductors 마이크로프로세서 - MPU Layerscape 64-bit Arm Cortex-A72, Dual-core, 1.6GHz, -40 to 105C, Security enabled
비재고 리드 타임 39 주
최소: 1
배수: 1

NXP Semiconductors 마이크로프로세서 - MPU Layerscape 64-bit Arm Cortex-A72, Dual-core, 1.6GHz, -40 to 105C, Security disabled
비재고 리드 타임 39 주
최소: 60
배수: 60

NXP Semiconductors 마이크로프로세서 - MPU Layerscape 64-bit Arm Cortex-A53, Quad-core, 1.6GHz, 0 to 105C, Security enabled, 21x21 pkg
비재고 리드 타임 39 주
최소: 1
배수: 1

NXP Semiconductors 마이크로프로세서 - MPU Layerscape 64-bit Arm Cortex-A53, Quad-core, 1.6GHz, 0 to 105C, Security disabled, 21x21 pkg
비재고 리드 타임 39 주
최소: 60
배수: 60

NXP Semiconductors 마이크로프로세서 - MPU Layerscape 64-bit Arm Cortex-A53, Quad-core, 1.6GHz, -40 to 105C, Security enabled, 21x21 pkg
비재고 리드 타임 39 주
최소: 1
배수: 1

Intel NN8071904626417SRL3Z
Intel CPU - 중앙 처리 장치 Intel Atom Processor C5310 (9M Cache, 1.6GHz) FC-BGA16B, Tray 비재고 리드 타임 30 주
최소: 1
배수: 1
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500