1.2 GHz 반도체

반도체의 유형

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NXP Semiconductors T2081NXE8MQB
NXP Semiconductors 마이크로프로세서 - MPU 1.6GT/s DDR3/3L 2x10GE
비재고 리드 타임 39 주
최소: 60
배수: 60
NXP Semiconductors T2081NXE8MQLB
NXP Semiconductors 마이크로프로세서 - MPU QorIQ,64b Power Arch,8x 1.2GHz threads,1.6GT/s DDR3/3L,2x10GE,crypto enabled,-40C-105C,Rev1.1,LoPwr
비재고 리드 타임 39 주
최소: 60
배수: 60

NXP Semiconductors T2081NXN8MQB
NXP Semiconductors 마이크로프로세서 - MPU 1.6GT/s DDR3/3L 2x10GE
비재고 리드 타임 39 주
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS 비재고 리드 타임 36 주
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Lumissil 프로세서 - 애플리케이션 특화용 Multi-CPU Heterogeneous Multi-App Micro-Processor,256MB DDR2, BGA-270(12mm x12mm) 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,680
배수: 1,680
Lumissil 프로세서 - 애플리케이션 특화용 Multi-CPU Heterogeneous Multi-App Micro-Processor,512MB DDR2, BGA-270(12mm x12mm) 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,680
배수: 1,680
Alliance Memory DRAM DDR4, 4G, 256 X 16, 1.2V, 96-Ball FBGA, 1200MHZ, Commercial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
Alliance Memory DRAM DDR4, 4G, 256 X 16, 1.2V, 96-Ball FBGA, 1200MHZ, Industrial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
Alliance Memory DRAM DDR4, 4G, 512M x 8, 1.2V, 78-Ball FBGA, 1200MHZ, Commercial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
Alliance Memory DRAM DDR4, 4G, 512M x 8, 1.2V, 78-Ball FBGA, 1200MHZ, Industrial Temp - Tray 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1
Alliance Memory DRAM DDR4, 4G, 512M x 8, 1.2V, 78-Ball FBGA, 1200MHZ, Industrial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500