HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

결과: 720
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
자격
상표명
포장

IXYS MOSFET 10 Amps 1000V
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337재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 10 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 6.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 380 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 12 Amps 1000V
데이터시트
1,382재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 12 A 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 463 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds
데이터시트
1,276재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 155 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A
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199재고 상태
300예상 2026-11-16
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 15 A 1.05 Ohms - 30 V, 30 V 6.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 1
데이터시트
280재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 16 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 120 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
데이터시트
139재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 170 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds
데이터시트
277재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 20 A 570 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 126 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
데이터시트
1,331재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 42 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A
데이터시트
490재고 상태
180예상 2026-07-27
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 62 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A
데이터시트
1,167재고 상태
780예상 2026-04-10
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 320 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 430 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A
데이터시트
1,481재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 340 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 300 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
데이터시트
280재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 500 V 34 A 180 mOhms HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 36A
데이터시트
274재고 상태
300예상 2026-09-23
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 36 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 44A
데이터시트
228재고 상태
300예상 2026-06-16
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
데이터시트
475재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 94 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
데이터시트
270재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 50 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 152 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds
데이터시트
194재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 69 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 156 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET MOSFET 650V/80A Ultra Junction X2
데이터시트
851재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 143 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
데이터시트
534재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 180 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds
데이터시트
389재고 상태
1,450주문 중
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 152 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohms Rds
데이터시트
639재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 140 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 185 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET PolarHT HiperFET 100v, 170A
데이터시트
1,398재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 170 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 198 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
데이터시트
123재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 235 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO264 300V 210A N-CH X3CLASS
데이터시트
207재고 상태
450예상 2026-05-13
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 210 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A
데이터시트
145재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 24 A 440 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 140 nC - 55 C + 150 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube