HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

결과: 720
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 상표명 포장
IXYS MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds 292재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 1.1 Ohms - 30 V, 30 V 5.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar HiperFET Power MOSFET 297재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 40 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 230 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds 248재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 300 V 76 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 92 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/32A 298재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 32 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 140 nC + 150 C 1 kW HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 200V 140A N-CH X3CLASS 105재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 140 A 9.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 127 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 180A 237재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 185 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode 176재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 300 V 94 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 102 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 500V 44A 300재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 140 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 180A 250V 300재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 180 A 12.9 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 345 nC - 55 C + 150 C 1.39 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 650V 34A N-CH X2CLASS 214재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 300V 52A 91재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 52 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-247 584재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms 30 V 5 V 64 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V 69mohm 46A X2-Class HiPerFET in TO-247 551재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 69 mOhms 30 V 5.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds 172재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 16 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO268 250V 150A N-CH X3CLASS 59재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 250 V 150 A 9 mOhms - 10 V, 10 V 2.5 V 154 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET HiPERFET Id26 BVdass500 4,160재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 32A TO-264 Power MOSFET 255재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 80A 256재고 상태
420주문 중
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 45 A 72 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO268 300V 120A N-CH X3CLASS 2,472재고 상태
30예상 2026-02-23
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 120 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Trench HiperFET Power MOSFET 259재고 상태
120예상 2026-07-22
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 94 A 36 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO264 150V 400A N-CH 4CLASS 1,409재고 상태
375예상 2026-04-17
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 400 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 430 nC - 55 C + 175 C 1.5 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET 869재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 185 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 300V 26A N-CH X3CLASS 2,204재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 300 V 26 A 66 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode 245재고 상태
700주문 중
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 210 A 14.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 268 nC - 55 C + 150 C 1.89 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds 381재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 44 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 305 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube