HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

결과: 720
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
자격
상표명
포장

IXYS MOSFET PLUS247 250V 240A N-CH X3CLASS
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239재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 250 V 240 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 345 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm
데이터시트
272재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 200 V 300 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
데이터시트
267재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 145 nC - 55 C + 150 C 1.13 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET
데이터시트
172재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 78 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 147 nC - 55 C + 150 C 1.13 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
데이터시트
273재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube
IXYS MOSFET 4 Amps 1000V
데이터시트
798재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 4 A 3.3 Ohms - 20 V, 20 V 6 V 26 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
데이터시트
705재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 56 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PolarP2 Power MOSFET
데이터시트
1,182재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 52 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 300V 56A N-CH X3CLASS
데이터시트
519재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 56 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 500V 36A
데이터시트
1,650재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 36 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 93 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
데이터시트
278재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 850 V 50 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 152 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
데이터시트
646재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.3 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A
데이터시트
710재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 80 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 200 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET
데이터시트
251재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 190 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 86 Amps 200V 29 Rds
데이터시트
753재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 29 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 90 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 14A
데이터시트
262재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 550 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 120V 140A N-CH TRENCH
데이터시트
415재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 120 V 140 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 174 nC - 55 C + 175 C 577 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET
데이터시트
22재고 상태
300예상 2026-07-02
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 98 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds
데이터시트
228재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6.4 mOhms - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 200 Amps 55V 0.0042 Rds
데이터시트
22재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 55 V 200 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 109 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 300V 38A N-CH X3CLASS
데이터시트
40재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 300 V 38 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 150V 42A N-CH TRENCH
데이터시트
124재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 42 A 45 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET
데이터시트
231재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 kV 5 A 2.8 Ohms - 30 V, 30 V 6 V 33.4 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 70 Amps 75V 0.0120 Rds
데이터시트
49재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 70 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 46 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 170A 200V
데이터시트
1재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 170 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 265 nC - 55 C + 175 C 1.15 kW Enhancement HiPerFET Tube