HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

결과: 720
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
자격
상표명
포장

IXYS MOSFET 74 Amps 200V 0.034 Rds
데이터시트
600예상 2026-06-29
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 74 A 34 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 107 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds
데이터시트
300예상 2026-08-24
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 96 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 145 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO264 300V 150A N-CH X3CLASS
데이터시트
300예상 2026-04-03
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 254 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET
데이터시트
298예상 2026-03-25
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 170 V 220 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 500 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
데이터시트
258예상 2026-03-13
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 240 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 460 nC - 55 C + 175 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
데이터시트
300예상 2026-04-15
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 360 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 715 nC - 55 C + 175 C 1.67 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET PolarP2 Power MOSFET
데이터시트
300예상 2026-05-12
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 94 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 228 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
데이터시트
650예상 2026-06-22
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.75 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 92 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 360Amps 55V
데이터시트
690주문 중
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 55 V 360 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 330 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
데이터시트
300예상 2026-02-23
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 9.1 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 130 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds
데이터시트
80예상 2026-02-23
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET DIODE Id14 BVdass800
데이터시트
240예상 2026-04-10
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 14 A 720 mOhms - 30 V, 30 V 5.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 300V 150A N-CH X3CLASS
데이터시트
89예상 2026-04-03
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 254 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 22A
데이터시트
300예상 2026-04-10
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 22 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 5.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 350 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 500V 14A N-CH POLAR3
데이터시트
28예상 2026-11-10
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 14 A 295 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 360Amps 55V
데이터시트
196예상 2026-08-19
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 55 V 360 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 330 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 100 Amps 40V
데이터시트
300예상 2026-02-20
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25.5 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 300 Amps 40V
데이터시트
300예상 2026-03-27
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 145 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET
데이터시트
350구매 가능한 공장 재고품
추가 정보 있음
최소: 300
배수: 50

Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 75 V 230 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 300V 120A N-CH X3CLASS
데이터시트
2,940구매 가능한 공장 재고품
추가 정보 있음
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 120 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 15 Amps 1000V 0.76 Rds
데이터시트
330구매 가능한 공장 재고품
추가 정보 있음
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 15 A 760 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 97 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 230Amps 100V
데이터시트
720구매 가능한 공장 재고품
추가 정보 있음
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 100 V 230 A 4.7 mOhms HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
데이터시트
420구매 가능한 공장 재고품
추가 정보 있음
최소: 300
배수: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 40 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 98 nC - 55 C + 150 C 860 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
데이터시트
450구매 가능한 공장 재고품
추가 정보 있음
최소: 300
배수: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 63 A 43 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 267 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/12A OVERMOLDED TO-220
데이터시트
500구매 가능한 공장 재고품
추가 정보 있음
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement HiPerFET Tube