PMDXB550UNEZ

Nexperia
771-PMDXB550UNEZ
PMDXB550UNEZ

제조업체:

설명:
MOSFET SOT1216 2NCH 30V .59A

데이터시트:
ECAD 모델:
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예상 2027-06-07
80,000
30,000
예상 2027-06-11
50,000
예상 2027-06-21
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합계
컷 테이프/MouseReel™ †
₩1,307.2 ₩1,307
₩901.4 ₩9,014
₩571.5 ₩57,150
₩352.6 ₩176,300
₩261.4 ₩261,400
₩232.6 ₩581,500
전체 릴(5000의 배수로 주문)
₩200.6 ₩1,003,000
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Nexperia
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-1010-6
N-Channel
2 Channel
30 V
590 mA
670 mOhms
- 8 V, 8 V
450 mV
1.05 nC
- 55 C
+ 150 C
4.03 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: Nexperia
구성: Dual
하강 시간: 3 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 600 mS
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 7 ns
팩토리 팩 수량: 5000
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 2 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 12 ns
표준 턴-온 지연 시간: 4 ns
부품번호 별칭: 934069326147
단위 중량: 1.290 mg
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속성 선택됨: 0 

                        
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데이터시트

Application Notes

PCN

규정 준수 코드
KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
원산지 분류
COO(원산지):
말레이시아
어셈블리 원산지:
불가능
COD(확산 공정 국가):
불가능
배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

PMDXB550UNE 듀얼 N채널 MOSFET

Nexperia PMDXB550UNE 듀얼 N채널 MOSFET은 낮은 임계 전압을 제공하는 표면 장착 장치입니다. 이 30V 강화 모드 FET(전계 효과 트랜지스터)는 탁월한 열전도와 ESD 보흐를 위해 노출된 드레인 패드를 갖추고 있습니다. 일반적으로 계전기 드라이버, 고속 라인 드라이버, 로우 측 부하 스위치, 스위칭 회로 등에 사용됩니다. PMDXB550UNE MOSFET은 트렌치 MOSFET 기술을 사용하여 설계되었으며, 리드리스 초소형 DFN1010B-6(SOT1216) 플라스틱 패키지로 제공됩니다.

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