결과: 358
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Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 550
배수: 25

VDFN-6 27 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 105 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 27 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 105 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 550
배수: 25

VDFN-6 28.6364 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 105 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 28.6364 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 105 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 150 MHz 10 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 105 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -55C-125C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 440
배수: 440

VDFN-6 18 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 55 C + 125 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -55C-125C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 18 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 55 C + 125 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -55C-125C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 440
배수: 440

VDFN-6 30 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 55 C + 125 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -55C-125C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 440
배수: 440

VDFN-6 36 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 55 C + 125 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -55C-125C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 36 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 55 C + 125 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -55C-125C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 440
배수: 440

VDFN-6 66.666 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 55 C + 125 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -55C-125C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 66.666 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 55 C + 125 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator High Perf Single CMOS Ou 비재고 리드 타임 4 주
최소: 440
배수: 440

VDFN-6 6.78 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 55 C + 125 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator High Perf Single CMOS Ou 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 6.78 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 55 C + 125 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator High Perf Single CMOS Ou 비재고 리드 타임 4 주
최소: 440
배수: 440

VDFN-6 33.3333 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 55 C + 125 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator High Perf Single CMOS Ou 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 33.3333 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 55 C + 125 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 700
배수: 25

VDFN-6 25 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 20 C + 70 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 25 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 20 C + 70 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator High Perf Single CMOS Ou 비재고 리드 타임 4 주
최소: 700
배수: 25

VDFN-6 36 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 85 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 420
배수: 420

VDFN-6 32 MHz 10 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 85 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 32 MHz 10 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 85 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 420
배수: 420

VDFN-6 50 MHz 10 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 85 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 50 MHz 10 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 85 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 420
배수: 420

VDFN-6 72 MHz 10 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 85 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 72 MHz 10 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 85 C DSC1121