NXH0x0F120MNF1 SiC MOSFET

onsemi  NXH0x0F120MNF1 SiC MOSFET은 F1 패키지에 풀 브리지와 서미스터를 포함하고 있는 전력 모듈입니다. 이 MOSFET은 서미스터 및 압입 핀이 특징입니다. NXH0x0F120MNF1 모듈은 TIM(사전 적용된 열 인터페이스 소재)와 사전 적용된 TIM 옵션 없이 모두를 제공합니다. 이 모듈은 태양광 인버터, 무정전 전원 장치, 전기차 충전소, 산업용 전력에 사용하기에 적합합니다. NXH0x0F120MNF1 모듈은 무연, 무할로겐, RoHS를 준수합니다. 이 모듈은 보관 온도 범위 -40°C ~ 150°C와 작동 접합 온도 범위 -40°C ~ 175°C로 제공됩니다. 

결과: 6
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
시리즈
포장
onsemi NXH007F120M3F2PTHG
onsemi MOSFET 모듈 7M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
데이터시트
23재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Press Fit PIM-34 N-Channel 1.2 kV 149 A - 10 V, + 22 V 2.72 V - 40 C + 175 C 353 W NXH007F120M3F2PTHG Tray
onsemi NXH011F120M3F2PTHG
onsemi MOSFET 모듈 11M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
데이터시트
12재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Press Fit PIM-34 N-Channel 1.2 kV 105 A 16 mOhms - 10 V, + 22 V 2.72 V - 40 C + 175 C 244 W NXH011F120M3F2PTHG Tray

onsemi MOSFET 모듈 SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET with TIM
데이터시트
28재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC NXH020F120MNF1 Tray

onsemi MOSFET 모듈 SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm M1 SiC MOSFET with TIM
데이터시트
28재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC NXH040F120MNF1 Tray

onsemi MOSFET 모듈 SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET
데이터시트
28구매 가능한 공장 재고품
추가 정보 있음
최소: 28
배수: 28
SiC NXH020F120MNF1 Tray

onsemi MOSFET 모듈 SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm M1 SiC MOSFET
데이터시트
28구매 가능한 공장 재고품
추가 정보 있음
최소: 28
배수: 28
SiC NXH040F120MNF1 Tray