애플리케이션 별 전력 MOSFET \

Nexperia Application-Specific Power MOSFETs optimize parameters to match requirements. Nexperia combines proven MOSFET expertise with broad application understanding to create an expanding range of application-specific MOSFETs.

결과: 16
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 포장
Nexperia MOSFET PSMN1R2-80CSE/SOT8005A/CCPAK12 150재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 375 A 1.18 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 233 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET SOT8000 100V 430A 1,997재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT SOT8000A-12 N-Channel 1 Channel 100 V 430 A 1.04 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 339 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT8000 100V 460A 835재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT SOT8005A-12 N-Channel 1 Channel 100 V 460 A 1.04 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 359 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT8000 100V 430A 486재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT SOT8005A-12 N-Channel 1 Channel 100 V 430 A 1.09 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 339 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT8000 N-CH 80V 495A 615재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT SOT8000A-12 N-Channel 1 Channel 80 V 495 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 336 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT8000 100V 460A 41재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT SOT8005A-12 N-Channel 1 Channel 100 V 460 A 990 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 359 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET PSMN1R3-100ASF/SOT8000A/CCPAK1 173재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 355 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 255 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET PSMN1R4-100ASE/SOT8000A/CCPAK1 120재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 340 A 1.36 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 244 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET SOT8000 N-CH 80V 505A 116재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT SOT8000A-12 N-Channel 1 Channel 80 V 505 A 850 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 309 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT8005 N-CH 80V 505A 173재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT SOT8000A-12 N-Channel 1 Channel 80 V 505 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 309 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET PSMN1R1-80ASF/SOT8000A/CCPAK12 245재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 385 A 1.11 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 242 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET PSMN1R1-80CSF/SOT8005A/CCPAK12 220재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 385 A 1.16 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 242 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET PSMN1R2-80ASE/SOT8000A/CCPAK12 200재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 375 A 1.18 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 233 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET PSMN1R4-100CSE/SOT8005A/CCPAK1 245재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 340 A 1.42 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 244 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET PSMN1R4-100CSF/SOT8005A/CCPAK1 246재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 355 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 255 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET SOT8005 N-CH 80V 495A 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT SOT8005A-12 N-Channel 1 Channel 80 V 495 A 950 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 336 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel