결과: 7
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 상표명 포장
Toshiba MOSFET UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK 1,560재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 55 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 49 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-Signal MOSFET 47,737재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 800 mV 6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218 5,662재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 30 A 21.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 80 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Channel Mosfet 9,771재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 38 V 2 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 700 mV 3 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V 5,008재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 38 V 2 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 2.5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V 5,106재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 2 Channel 60 V 650 mA 1.8 Ohms - 12 V, 12 V 1.3 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 34 V 2 A 240 mOhms - 20 V, 20 V 700 mV + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape