RV7E035ATTCR1

ROHM Semiconductor
755-RV7E035ATTCR1
RV7E035ATTCR1

제조업체:

설명:
MOSFET Pch -30V -3.5A Small Signal MOSFET : RV7E035AT is a MOSFET, suitable for switching circuits and High side Load switch.

라이프사이클:
신제품:
이 제조업체의 새로운 제품입니다.
ECAD 모델:
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재고 상태: 2,669

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₩-
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가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩1,168 ₩1,168
₩721.2 ₩7,212
₩476 ₩47,600
₩373.8 ₩186,900
₩319.7 ₩319,700
전체 릴(3000의 배수로 주문)
₩267.2 ₩801,600
₩242.4 ₩1,454,400
₩224.8 ₩2,023,200
₩217.5 ₩5,220,000

제품 속성 속성 값 속성 선택
ROHM Semiconductor
제품 카테고리: MOSFET
Si
SMD/SMT
DFN1212-3
P-Channel
1 Channel
30 V
3.5 A
78 mOhms
20 V
2.5 V
4.3 nC
- 55 C
+ 150 C
1.1 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
브랜드: ROHM Semiconductor
구성: Single
하강 시간: 8.5 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 2.5 S
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 9 ns
팩토리 팩 수량: 3000
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 P-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 28 ns
표준 턴-온 지연 시간: 8 ns
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RV7E035ATP-채널 소신호 MOSFET

ROHM Semiconductor RV7E035ATP채널 소신호 MOSFET은 저전압 스위칭 애플리케이션을 위해 설계된 소형 고성능 디바이스입니다. 공간 절약형 TUMT3 패키지에 적용된 RV7E035AT는 우수한 스위칭 특성과 낮은 온저항을 제공해, 휴대용 기기나 배터리 기반 전자제품에 매우 적합한 부품입니다. 이 MOSFET은 드레인-소스 전압(VDS) -30 V, 연속 드레인 전류(ID) -3.5 A를 지원하며, VGS = -4.5 V일 때 온저항 (RDS(on) 이 단 47 mΩ에 불과해 효율적인 전력 관리와 발열 최소화를 실현합니다. ROHM Semiconductor (RV7E035AT) 는 고속 스위칭에 최적화되어 있으며 소형 전자 장치의 부하 스위칭, DC-DC 컨버터 및 전력 관리 회로에 적합합니다. 견고한 설계와 열 효율성은 까다로운 환경에서도 안정적인 운영을 지원합니다.