반도체의 유형

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 17재고 상태
1,680주문 중
최소: 1
배수: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 473재고 상태
최소: 1
배수: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package 15재고 상태
960예상 2026-08-27
최소: 1
배수: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package 43재고 상태
1,920주문 중
최소: 1
배수: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 83재고 상태
240예상 2026-08-19
최소: 1
배수: 1

Infineon Technologies 디스크리트 반도체 모듈 CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
40예상 2026-08-28
최소: 1
배수: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
2,160주문 중
최소: 1
배수: 1

Infineon Technologies 게이트 드라이버 LOW SIDE DRIVERS
32,898예상 2027-01-28
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
701주문 중
최소: 1
배수: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
960주문 중
최소: 1
배수: 1

Infineon Technologies 게이트 드라이버 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Infineon Technologies 게이트 드라이버 1200V Isolated 2-CH, 2A,MillerClamp,DESA 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Infineon Technologies 디스크리트 반도체 모듈 CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1