전기차(EV) 트랙션 인버터

NXP Semiconductors 전기차(EV) 트랙션 인버터는 트랙션 모터를 구동하기 위해 배터리에서 DC 전력을 AC 전력으로 변환하는 전기자동차의 중요 한 장치입니다. 이 인버터는 80kW ~ 200kW 이상의 높은 전력 레벨을 제공하여 경량으로 고온에 견딜 수 있습니다.

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NXP Semiconductors 전문화된 전력 관리 - PMIC System Basis Chip, DCDC 1.5A Vcore FS1B, LQFP48EP 비재고 리드 타임 16 주
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NXP Semiconductors 전문화된 전력 관리 - PMIC System Basis Chip, DCDC 1.5A Vcore LDT CAN, LQFP48EP 비재고 리드 타임 16 주
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NXP Semiconductors 전문화된 전력 관리 - PMIC System Basis Chip, DCDC 1.5A Vcore LDT CAN, LQFP48EP 비재고 리드 타임 16 주
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NXP Semiconductors 전문화된 전력 관리 - PMIC System Basis Chip, DCDC 1.5A Vcore LDT, LQFP48EP 비재고 리드 타임 16 주
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NXP Semiconductors 전문화된 전력 관리 - PMIC System Basis Chip, DCDC 1.5A Vcore LDT, LQFP48EP 비재고 리드 타임 16 주
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NXP Semiconductors 전문화된 전력 관리 - PMIC System Basis Chip, DCDC 1.5A Vcore FS1b LDT CAN, LQFP48EP 비재고 리드 타임 16 주
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NXP Semiconductors 전문화된 전력 관리 - PMIC System Basis Chip, DCDC 1.5A Vcore FS1b LDT CAN, LQFP48EP 비재고 리드 타임 16 주
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NXP Semiconductors 전문화된 전력 관리 - PMIC System Basis Chip, DCDC 1.5A Vcore FS1b LDT, LQFP48EP 비재고 리드 타임 16 주
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NXP Semiconductors 전문화된 전력 관리 - PMIC System Basis Chip, DCDC 1.5A Vcore FS1b LDT, LQFP48EP 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
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NXP Semiconductors 게이트 드라이버 EV Inverter Control; IGBT & SiC GDIC 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
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NXP Semiconductors 게이트 드라이버 GD3160 비재고 리드 타임 26 주
최소: 176
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NXP Semiconductors 갈바닉 절연 게이트 드라이버 Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters 비재고 리드 타임 26 주
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NXP Semiconductors 갈바닉 절연 게이트 드라이버 Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters 비재고 리드 타임 26 주
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NXP Semiconductors 갈바닉 절연 게이트 드라이버 Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters 비재고 리드 타임 26 주
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배수: 1,000
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NXP Semiconductors 갈바닉 절연 게이트 드라이버 Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters 비재고 리드 타임 26 주
최소: 176
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NXP Semiconductors 갈바닉 절연 게이트 드라이버 Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

NXP Semiconductors 갈바닉 절연 게이트 드라이버 Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters 비재고 리드 타임 26 주
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NXP Semiconductors 전문화된 전력 관리 - PMIC Power management IC, S32, non-prog, 3 buck, 2 LDO, Auto, ASIL D, grade 1, QFN 40 비재고 리드 타임 27 주
최소: 2,000
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NXP Semiconductors 전문화된 전력 관리 - PMIC Power management IC, S32, non-prog, 3 buck, 2 LDO, Auto, ASIL D, grade 1, QFN 40 비재고 리드 타임 27 주
최소: 2,000
배수: 2,000
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NXP Semiconductors 전문화된 전력 관리 - PMIC Power management IC, S32, non-prog, 3 buck, 2 LDO, Auto, ASIL D, grade 1, QFN 40 비재고 리드 타임 16 주
최소: 490
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NXP Semiconductors 전문화된 전력 관리 - PMIC Power management IC, S32, non-prog, 3 buck, 2 LDO, Auto, ASIL D, grade 1, QFN 40 비재고 리드 타임 27 주
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NXP Semiconductors 전문화된 전력 관리 - PMIC Power management IC, S32Z2 (21x21 mm) with lpDDR4, S32E2, pre-prog, 3 buck, 2 LDO, Auto, QM, grade 1, QFN 40 비재고 리드 타임 27 주
최소: 2,000
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NXP Semiconductors 전문화된 전력 관리 - PMIC Power management IC, S32, non-prog, 2 buck, 2 LDO, Auto, ASIL D, grade 1, QFN 40 비재고 리드 타임 16 주
최소: 490
배수: 490

NXP Semiconductors 전문화된 전력 관리 - PMIC Power management IC, S32, non-prog, 2 buck, 2 LDO, Auto, ASIL D, grade 1, QFN 40 비재고 리드 타임 27 주
최소: 2,000
배수: 2,000
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NXP Semiconductors 전문화된 전력 관리 - PMIC Power management IC, S32, non-prog, 2 buck, 2 LDO, Auto, ASIL D, grade 1, QFN 40 비재고 리드 타임 27 주
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