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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 포장
ROHM Semiconductor MOSFET 10V Drive Nch MOSFET 비재고 리드 타임 23 주

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 4.3 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET 10V Drive Nch MOSFET 비재고 리드 타임 23 주

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 1.03 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 39 nC - 55 C + 150 C 66 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET 10V Drive Nch MOSFET 비재고 리드 타임 23 주
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 560 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 62 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET 1.5V DRIVE MOSFET PCH 비재고 리드 타임 16 주

Si SMD/SMT SOT-363-6 P-Channel 1 Channel 12 V 4.5 A 22 mOhms 40 nC 1 W Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 250V 33A Power MOSFET 비재고 리드 타임 16 주

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 250 V 33 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 80 nC - 55 C + 150 C 211 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 80A(Id), (4.5V Drive) 비재고 리드 타임 16 주

Si SMD/SMT TO-263AB-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 31.1 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Middle Power MOSFET Series (Single Type), halogen free and external plating Sn100% 비재고 리드 타임 16 주

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 30 V 9 A 15.4 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 56 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET 비재고 리드 타임 16 주

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 30 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 39.8 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET 비재고 리드 타임 16 주

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 32 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 42.8 nC - 55 C + 150 C 3 W Reel