200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and RDS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
Infineon Technologies IRFB4332PBFXKMA1
Infineon Technologies Infineon TRENCH >=100V 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Infineon Technologies IRFB4620PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,000
배수: 1,000