EMC 최적화 NextPowerS3 MOSFET

Nexperia EMC 최적화 NextPowerS3 MOSFET은 고효율의 공간 절약형 LFPAK56 패키지로 제공됩니다.  이 MOSFET은 애벌랜치 등급입니다. NextPowerS3 MOSFET은 +175°C의 최대 접합 온도를 지원합니다. 이 MOSFET은 EU RoHS를 준수합니다. NextPowerS3 MOSFET은 +260°C의 피크 납땜 온도와 -55°C~+175°C의 보관 온도 범위가 특징입니다. 일반적으로 DC-DC 컨버터 및 브러시리스 DC 모터 제어에 사용됩니다.

결과: 8
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 120A 1,922재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 42 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 200A 1,346재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 79 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 200A 1,945재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 56 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 180A 2,085재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 28 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 180A 1,922재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT Power-SO8 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 160A 1,890재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 56 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 160A 1,935재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 120A 1,385재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement