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SIS178LDN-T1-GE3

Name: Vishay SIS178LDN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIS178LDN-T1-GE3
Price: 1912 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

78-SIS178LDN-T1-GE3

제조업체 번호:

SIS178LDN-T1-GE3

제조업체:

Vishay / Siliconix

설명:

MOSFET PPAK1212 N-CH 70V 13.9A

데이터시트:

SIS178LDN-T1-GE3 데이터시트

ECAD 모델:

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추가 정보

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최소: 1 배수: 1

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₩-

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₩-

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포장:

전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩1,912.6	₩1,913
	₩1,197.2	₩11,972
	₩791.3	₩79,130
	₩623.4	₩311,700
	₩562.1	₩562,100
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩513.9	₩1,541,700
	₩467.2	₩2,803,200
	₩445.3	₩4,007,700
	₩427.8	₩10,267,200

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Vishay
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PowerPAK-1212-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	70 V
Id - 연속 드레인 전류:	45.3 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	9.5 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.5 V
Qg - 게이트 전하:	18.7 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	39 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	TrenchFET
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Vishay / Siliconix
구성:	Single
하강 시간:	6 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	40 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	6 ns
시리즈:	SIS
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	20 ns
표준 턴-온 지연 시간:	10 ns
단위 중량:	1 g

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

SIS178LDN-T1-GE3 데이터시트

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiS178LDN N-채널 70V(D-S) MOSFET

Vishay/Siliconix SiS178LDN N-채널 70V(D-S) MOSFET은 PowerPAK® 1212-8 단일 패키지로 제공되며 TrenchFET® Gen IV 기술을 구현합니다. SiS178LDN MOSFET은 매우 낮은 R_DS x Q_g FOM(성능 지수)을 제공합니다. Vishay/Siliconix SiS178LDN N-채널 70V(D-S) MOSFET은 동기식 정류, 1차 측 스위치, DC/DC 변환기, 모터 드라이브 제어 및 로드 스위치 애플리케이션용으로 설계되었습니다.