QPD GaN RF 트랜지스터

Qorvo QPD GaN RF 트랜지스터는 매크로셀 고효율 시스템용 기지국 전력 증폭기의 최종단을 위해 도허티 아키텍처에서 사용할 수 잇습니다. 이러한 GaN 트랜지스터는 단상 정합된 전력 증폭기 트랜지스터를 갖춘 SiC HEMT 측 이산 GaN입니다. 일반적으로 W-CDMA/LTE, 매크로셀 기지국, 능동 안테나 및 범용 애플리케이션에 사용됩니다.

결과: 34
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
최대 작동 주파수
최소 작동 주파수
기술
Qorvo GaN FET DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 100
배수: 100

NI-360 N-Channel 3.5 GHz GaN
Qorvo GaN FET DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 100
배수: 100

6 GHz 0 Hz GaN
Qorvo GaN FET DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB
데이터시트
제품 코멘트
리드 타임 20 주
최소: 50
배수: 50

Die N-Channel 18 GHz 0 Hz GaN-on-SiC
Qorvo GaN FET DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB
데이터시트
제품 코멘트

Die N-Channel GaN-on-SiC
Qorvo GaN FET DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB
데이터시트
제품 코멘트

Die N-Channel GaN-on-SiC
Qorvo GaN FET DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
데이터시트

Screw Mount NI-360 N-Channel 32 V 7.32 A - 40 C + 85 C 86 W 3.5 GHz 0 Hz GaN
Qorvo GaN FET DC-25GHz 7Watt NF 1.3dB GaN
데이터시트
제품 코멘트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 5
배수: 5

SMD/SMT DIE N-Channel 80 mA - 40 C + 85 C 8.9 W 25 GHz 0 Hz GaN
Qorvo GaN FET 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
데이터시트

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.3 A + 225 C 33 W 12 GHz 0 Hz GaN
Qorvo T1G4020036-FL
Qorvo GaN FET DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
데이터시트

NI-650 N-Channel 3.5 GHz GaN