QPD GaN RF 트랜지스터

Qorvo QPD GaN RF 트랜지스터는 매크로셀 고효율 시스템용 기지국 전력 증폭기의 최종단을 위해 도허티 아키텍처에서 사용할 수 잇습니다. 이러한 GaN 트랜지스터는 단상 정합된 전력 증폭기 트랜지스터를 갖춘 SiC HEMT 측 이산 GaN입니다. 일반적으로 W-CDMA/LTE, 매크로셀 기지국, 능동 안테나 및 범용 애플리케이션에 사용됩니다.

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산
Qorvo GaN FET DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless 비재고 리드 타임 20 주
최소: 100
배수: 100

NI-360 N-Channel
Qorvo GaN FET DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN 비재고 리드 타임 20 주
최소: 100
배수: 100

Qorvo GaN FET DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB 비재고 리드 타임 20 주
최소: 100
배수: 100

Die N-Channel
Qorvo GaN FET DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB
비재고 리드 타임 20 주
최소: 50
배수: 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FET DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB
리드 타임 20 주
최소: 50
배수: 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FET DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB
비재고 리드 타임 20 주
최소: 50
배수: 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FET DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
비재고 리드 타임 20 주
최소: 25
배수: 25

Screw Mount NI-360 N-Channel 32 V 7.32 A - 40 C + 85 C 86 W
Qorvo GaN FET DC-3.5GHz 100W 28V GaN 재고 없음
최소: 25
배수: 25

NI-360 N-Channel 28 V 12 A - 7 V, + 2 V - 2.9 V 144 W
Qorvo GaN FET DC-25GHz 7Watt NF 1.3dB GaN 비재고 리드 타임 20 주
최소: 5
배수: 5

SMD/SMT DIE N-Channel 80 mA - 40 C + 85 C 8.9 W
Qorvo GaN FET DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm
비재고 리드 타임 24 주
최소: 50
배수: 50

SMD/SMT Die N-Channel 32 V 1.7 A - 65 C + 150 C 34.5 W
Qorvo GaN FET 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.3 A + 225 C 33 W
Qorvo GaN FET 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.8 A + 225 C 49 W
Qorvo GaN FET 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT QFN-16 32 V 250 mA - 40 C + 85 C
Qorvo GaN FET DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB 리드 타임 16 주
최소: 50
배수: 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FET DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
재고 없음
최소: 25
배수: 25

SMD/SMT NI-360 N-Channel 32 V 7.32 A - 40 C + 85 C 86 W
Qorvo T1G4020036-FL
Qorvo GaN FET DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
비재고 리드 타임 22 주
최소: 25
배수: 25

NI-650 N-Channel