SSM6x N 및 P 채널 MOSFET

고속 스위칭 기능을 갖춘 Toshiba SSM6x N 채널 및 P 채널 MOSFET은 전력 관리 및 아날로그 스위치로 작동합니다. 이 MOSFET은 다양한 게이트-소스 전압 범위에 대해 매우 낮은 온 저항(최저 1.1mΩ ~ 최대 115mΩ)을 제공합니다. SSM6x MOSFET은 표면 실장 호환성을 갖춘 소형 프로파일 패키지로 제공됩니다. 이 MOSFET은 낮은 드레인-소스 온 저항을 제공하고 DC-DC 컨버터로 작동하며 1.2~4.5V 게이트 전압을 구동합니다. Toshiba SSM6x MOSFET은 더 적은 드레인 전력 손실(최대 150mW)을 제공하여 12~100V 입력 전압 범위 내에서 작동하면서 더 적은 열을 발생시킵니다.

결과: 17
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 상표명 포장
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V 590,951재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 9.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET MOSFET, DUAL P-CH, 20V, 6A, TSOP-F 7,608재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=100V 17,992재고 상태
61,000주문 중
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 2 Channel 100 V 2 A 84 mOhms, 84 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 3.1 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET MOSFET, N/P-CH, 30V, 4A, TSOP-F 11,939재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Reel

Toshiba MOSFET MOSFET, P-CH, 40V, 7A, TSOP 26,948재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si AEC-Q101 Reel, Cut Tape

Toshiba MOSFET Silicon N-channel MOS (U-MOSIX-H) 9,600재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Reel
Toshiba MOSFET TSOP6F S-MOS(LF) 11,838재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Reel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V 118,883재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 750 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 340 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET TSOP6F S-MOS(LF) 11,605재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Reel

Toshiba MOSFET MOSFET, N-CH, 100V, 10A, TSOP-F 2,660재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Reel

Toshiba MOSFET TSOP6F S-MOS(LF) 11,582재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Reel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=--4.8A VDSS=-12V 2,844재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-563-6 P-Channel 1 Channel 12 V 4.8 A 26 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 700 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V 11,929재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

Si SMD/SMT ES6-6 P-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 8 Ohms - 20 V, 20 V 1.7 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q100 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID=-6A VDSS=-20V 3,906재고 상태
9,000예상 2026-05-04
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 32.5 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V 5,106재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 2 Channel 60 V 650 mA 1.8 Ohms - 12 V, 12 V 1.3 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V 5,340재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 750 mOhms, 750 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 340 pC - 55 C + 150 C 285 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
123,000예상 2026-03-06
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 51 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 3.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel